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NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。
 
因此将比较它需要多长时间来擦除64Kb数据及写入新数据。最后必须知道制造商提到功耗时并不是使用一致的标准。某些设备可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其资料表提供的却是Vcc=2.5V。此处所用的数值是资料表中规定的最差情况数值。
 
串行数据闪存擦除页/扇区时，需要耗用大量的能量，因为这些操作耗时较长。EEPROM与闪存使用轮询(polling)技术而不是等待一段最差情况所需的时间来完成操作，从而减少了两者的能量要求。资料表没有清楚显示当写入/擦除完成时，写入/擦除周期中消耗的电流是否自动逐步减少或是否继续。 
 
非易失NV-SRAM通常用于要求维护次数尽可能少，频繁进行读/写操作，并且数据保存速度是至关重要的系统中。数控铣床就是一个例子。假设机器正在进行铣操作的时候突然断电。出于安全考虑，需要撤出钻头并将其停放在一个安全位置。一旦上电，机器必须记住停止工作的点。有了NV-SRAM模块，这一任务是很容易实现的。选择的保持时间应等于或大于向EEPROM中存储程序信息所需的时间。在数据写入EEPROM之前，仍然需要SRAM充当数据缓存。采用这一方案，附加元件的费用通常要超出NV-SRAM模块的成本，并且可靠性较低。
 
在防篡改应用，特别是在PoS终端中，数据记录非常重要。如今的智能终端无须经过耗时的远程服务器的验证就能确认付款交易。由于安全数据存储于终端内部，因此这里完全依靠单片BGA模块。安全微控制器可以将密钥存放在lC内部的“安全区”内。然而，仍然需要采取一些额外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密数据被读取和解码。目前所能提供的保护措施尚不足以对付那些狡猾的黑客。针对这一问题，也有一些解决方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模块，包含安全微控制器、SRAM篡改检测电路，以及定时和控制功能。