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MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有SRAM存储芯片的高速读取写入能力，以及动态DRAM的高集成度，并可以无限次地重复写入。MRAM工作的基本原理与硬盘驱动器类似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方商为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响，才会改变这个磁性数据。因为运用磁性荐储数据，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。

在高密度MRAM模块中会遇到磁介质的不规则漩涡，这种漩涡引起了磁极的老化，甚至导致读写错误。这也就是说，MRAM的寿命和稳定性会随着MRAM容量的增加而面临严峻的考验。为此VERTICAL RING GMRCELLS技术（垂直环绕巨磁阻单元）临危授命，很明显VRGC让磁层有了软硬之分。大家可不要小看这一简单的变化，这样垂直排列的巨磁阻会将不规则漩涡基本消除，很有效地解决了MRAM的老化问题。此外为了加强MRAM的稳定性，避免读写错误，VRGC技术在每一基本单元额外加入了一对平行字符线，这有点类似目前普遍应用于服务器内存的校验功能。