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MCU通过IO开漏,可以上拉到12V吗?

工程师
2020-11-11 22:32:09     打赏

我手里有一个N沟道的MOS管,想把它配置成开关用,其导通电压信号由单片机送出,但是MOS管导通时的漏极(D)电压要求为12V,因为单片机输出只有5V,所以想把IO口配置为开漏输出,然后外部用10K电阻上拉到12V后再接MOS管的漏极。想问一下这样做有没有风险,会不会损坏单片机?

希望大侠们予以赐教,感谢!




关键词: 开漏     12V     MOS管     MOSFET    

工程师
2020-11-12 21:29:40     打赏
2楼

原理上没有什么问题,注意开关速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合电容,可能把IO口烧坏。


工程师
2020-11-12 21:38:58     打赏
3楼
但凡是有点经验的,都不会给单片机的IO施加高于单片机VCC电源的电压
从原理上来说,把单片机的IO设定为OD型输出是可以的,但这本身也是要单片机运行代码之后才生效的,单片机上电复位就是默认值,很有可能会烧坏单片机的IO
一般是用一个三极管或者MOS来驱动的,而且,个人感觉一般的5V单片机IO足以驱动大多数的NMOS管了,不是高频的话,不用12V来驱动的



高工
2020-11-25 22:29:04     打赏
4楼

可以叭


工程师
2020-11-30 22:58:59     打赏
5楼

应该是没问题的


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