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NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。
 
快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速缓存会大大降低系统性能。因此高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。 NV-SRAM是业界最快的非易失性RAM，对于所有读取和写入操作，提供高达20 ns的访问速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM可以最大程度地减少缓存管理工作。
 
可靠性：NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中，工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成为最可靠的非易失性技术，并且是游戏应用程序的理想选择。
 
无限的耐用性：NV-SRAM允许将关键数据无限次写入其SRAM单元中，而不会耗尽耐久力或不适当的磨损平衡。当使用有限的耐用性计数非易失性存储器（例如EEPROM和闪存）时，这消除了在软件中实现损耗平衡或计算耐用性周期所需的所有工作。
 
绿色（无电池）：与电池供电的SRAM不同，NV-SRAM是不涉及电池的绿色解决方案。它仅使用一个小电容器将SRAM内容存储到非易失性元件，从而无需任何额外的备用电源即可保留数据。
 
实时时钟：许多游戏系统都希望在写入安全位置之前对关键数据进行时间戳记。这通常需要额外的RTC芯片和相关组件。 NV-SRAM带有集成RTC功能的选项。这不仅减少了BOM成本和电路板空间，而且还释放了一些与外部RTC器件接口所需的专用引脚资源。
 

 
NV-SRAM除了是最快的非易失性SRAM解决方案之外，NV-SRAM还已经证明了其可靠性超过20年。 NV-SRAM具有16兆位的密度，这在游戏应用中通常是必需的。