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FQP4N60场效应管是一款经常应用于DC-DC电源转化器的型号。除此之外还有一款国内具备500V高耐压，5A漏极直流电流中，技术含量高、质量安全好的场效应管，且能对标这一款FQP4N60常用场效应管的：FHP4N60。

在众多的使用场景中，我们常见使用的FQP4N60场效应管参数，在国内早已有比较优秀的替代型号：FHP4N60，能够媲美替代国际水平的产品参数。

我们知道PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹波和噪声。PFM控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制，且在重负载时自动转换到PWM控制。因此一款好的高压MOS管是对DC-DC电源转换器的保障。

再看看FHP4N60的具体参数：4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω(max) @VGS= 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快，使用方面是能够替代FQP4N60场效应管的。

目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管：FHP4N60，替代FQP4N60不仅能够使用在DC-DC电源转换器场景，还AC-DC开关电源、 高压H桥PMW马达驱动共三款产品中。

FHP4N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252/TO-262/TO-263六种封装，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：4；BVdss（V）：600。

飞虹自2008年至今，共获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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