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过电压保护电路中，常采用的四种过电压保护技术产品为：半导体放电管（tss)、陶瓷气体放电管（gdt)、金属氧化物压敏电阻（mov）、瞬态抑制二极管(tvs）；所有这四种装置都与所保护的电路进行并联，当偏压低于相应的断态重复峰值电压时都会表现出高断态阻抗。

①半导体放电管（tss)
半导体放电管（tss)为pnpn装置，可将其视作不带门极的晶闸管。 一旦超过其峰值断态电压（vdrm），半导体放电管（tss)将会把瞬态电压箝制在其额定转换电压（vs）的范围内。 一旦流经半导体放电管（tss)的电流超过其开关电流，该装置将发生急剧短路，模拟短路状态。 当流经半导体放电管（tss)的电流小于其保持电流（ih）时，半导体放电管（tss)将会复位并返回到其断态高阻抗状态。

半导体放电管的优点
半导体放电管（tss)的优点包括响应时间快、电气特性稳定、长期稳定性好、电容低等。 此外，由于半导体放电管（tss)为电撬设备，它不会被电压损坏。

半导体放电管的局限性
由于半导体放电管（tss)属于电撬设备，所以不能直接在交流线路上使用，必须将其放在负载的后面。 不这样做将会导致超出半导体放电管（tss)的更大额定通态电流，进而导致其进入永久性的短路状态。

半导体放电管的应用
尽管也可用于其他应用，但半导体放电管（tss)主要是作为主过电压保护器用于电信和数据通信电路。

②陶瓷气体放电管（gdt)
陶瓷气体放电管（gdt)采用玻璃或陶瓷封装，内部填充惰性气体，两端用电极封住。 当瞬态电压超过装置的额定直流击穿电压时，电压差会造成陶瓷气体放电管（gdt)的电极着火，导致出现电弧，而电弧会造成管内气体离子化，并提供了一个让瞬态电压通过的低阻抗路径。 当瞬态值降到直流过保持电压和电流以下时，陶瓷气体放电管（gdt)会返回到断态。

陶瓷气体放电管的优点
陶瓷气体放电管（gdt)的浪涌电流高，额定电容低。 其额定电流更高可达20 ka，偏压为0 v时，额定电容更低可至1 pf。

陶瓷气体放电管的应用
由于浪涌额定值高，陶瓷气体放电管（gdt)通常被用于基础保护。 不过由于其对高频元件的干扰很低，它们也是高速数据链路的备选方案。

③金属氧化物压敏电阻(mov)
金属氧化压敏电阻（mov）是有两根引线的通孔型元件，通常为圆盘形。 mov以烧结氧化物制成，大致相当于两个相接的pn结点，可通过在施加电压时降低电阻来对瞬态电流进行分流。

压敏电阻的优点
由于mov的抗浪涌能力由其外形尺寸所决定，故可提供高浪涌额定电流。 此外，由于mov属于箝制装置，因此可在次级交流电源线路中用作瞬态保护器。

压敏电阻的应用
尽管mov在很多电信设备（一次性设备除外）中都不能使用，但却可以用于需要箝制装置且不要求电压容差很小的交流电设备中。

④tvs瞬态抑制二极管
瞬态电压抑制器（tvs）二极管是由相接的pn结点构成的箝位电压抑制器。 在导电过程中，当在其端子上施加电压时，瞬态抑制二极管会通过改变电阻来创建一个低阻抗的通道。 一旦电压去除，二极管即会关闭并回到高断态阻抗的状态。

tvs瞬态抑制二极管的优点
由于瞬态抑制二极管是固态装置，因此只要在规定的范围内工作，就不会出现疲劳故障，其电气参数也不会发生变化。 瞬态抑制二极管能够有效箝制迅速生成的瞬态电压，非常适合用于不需要对大量电能进行分流的低电压设备。

tvs瞬态抑制二极管的应用
由于额定功率低，瞬态抑制二极管不能用作正极线（tip）和负极线（ring）之间的初级接口保护器，但可用作嵌入电路中的次级保护器。

浪拓电子能提供全系列的电路保护器件产品，产品封装外形多样化，浪涌吸收能力强，稳定性高。