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MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在掉电时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。为了简化容错设计，MR4A16B包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR4A16B是理想的存储器解决方案。
 
MR4A16B提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型薄型外形封装（TSOP Type 2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR4A16B在很宽的温度范围内提供了高度可靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。最新的Everspin产品信息及选购，请接洽代理宇芯电子销售。
 
MR4A16B 1M x 16 MRAM
•+3.3伏电源
•35 ns的快速读写周期
•SRAM兼容时序
•无限的读写耐久性
•温度下，数据始终保持非易失性超过20年
•符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度标准
•一个存储器取代了系统中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•通过更换电池供电的SRAM来提高可靠性
 
关于Everspin
Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。在包括40nm，28nm以及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。此外，Everspin在亚利桑那州钱德勒拥有并运营一条集成的磁性生产线，Everspin在此生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。