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11A、650V低电流、高压参数的N沟道高压功率MOS场效应管型号有哪些？一般情况下，拥有11A、650V参数的MOS管在电子工程师来讲可以怎么应用呢？

在市场上，目前快充电源已经逐步普及了，究竟生产厂家要如何保证产品的质量呢？这一点对于MOS管的应用就显得尤为重要了。我们来看看MOS管常见的产品参数：漏-源电压、漏极直流电流、栅-源电压、最大脉冲漏极电流、雪崩电流等等方面，在这基础参数外，还会要看什么呢？

今天飞虹电子要科普的是一款11A、650V的低电流、高压MOS管，65R420型号场效应管参数。

先来看看这一款11A、650V MOS管65R420在实际的电路应用中适用于什么样的场景呢？

它作为一款N沟道增强型高压功率MOS场效应管，以其11A、650V的特性，电子工程师一般会用于65W-PD快充电源的初级开关管的场景中。

当然一款场效应管能应用的场景可多了，具体要看工程师设计的产品对于电子元器件的参数要求。

目前这一款11A、650V低电流、高电压的MOS管是能够匹配：TK12A60W (东芝)、IPA60R600P7S这两款型号来代换使用的。

FHP65R420的主要封装形式是TO-220F，脚位排列位GDS。这款65R420场效应管产品具体参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：11A；BVdss（V）：650V。具备开关损耗低，易通过EMI要求，一致性好，高可靠性的特点，可替代东微的OSG65R380FF。

若要介绍一款11A低电流、650V高电压、2.5欧通态电阻的MOS管电子元器件，优先推荐纯国产的65R420型号来应用于产品电路中。

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