EEPW论坛

G极(gate)—栅极，不用说比较好认 
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

箭头指向G极的是N沟道 
箭头背向G极的是P沟道

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的： 

要么都由S指向D，要么都有D指向S

1>信号切换 
2>电压通断

关键点: 

1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端 

2>控制极电平为？V 时MOS管导通 

3>控制极电平为？V 时MOS管截止 

NMOS：D极接输入，S极接输出 
PMOS：S极接输入，D极接输出

反证法加强理解 
NMOS假如：S接输入，D接输出 

由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用 

PMOS假如：D接输入，S接输出 

同样失去了开关的作用

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通 
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通 
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

BJT：

Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件； 
FET：

Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件. 

按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）

两大类：

按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.

按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 

总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应

晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

①封装 
②类型（NMOS、PMOS） 
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压） 
④饱和电流Id 
⑤导通阻抗Rds 
⑥栅极阈值电压Vgs(th)

无论是NMOS还是PMOS ，按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。 

或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。 

这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。

管脚编号：

从G脚开始，逆时针123 

三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针123

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。

转贴自网络