世界上最早的全电子化存储器是1947年诞生的,其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。从那时起,计算机内存开始使用磁存储技术并经历了数代演变,相关系统包括磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。从1970年代开始,主流的集成半导体存储器则主要分为三类:动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM) 和闪存。
计算机内存主要是DRAM和SRAM。SRAM则具有最快的片上缓存。已经历了数十年的发展。SRAM不需要周期性刷新就能锁存“0”和“1”信号,影响其发展的主要因素则是单元面积和读取速度。
MCU通常是基于SRAM和闪存的混合使用,MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM,在某些应用设计中会出现内置RAM不足的情况,需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理,可以选择更换更高RAM容量的单片机,除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用国产SRAM芯片EMI7064.
我司英尚微介绍以下SRAM芯片作为外扩的考虑
1.串口SRAM芯片:这种封装是SOP-8的串口SRAM芯片,一般推荐用EMI7064这一款,容量可以达到64Mbit,占用占用单片机的I/O脚位比较少,较多的应用在各类产品中,性价比比较高的一款SRAM芯片产品。
2.并口SRAM芯片:一般并口SRAM芯片占用单片机的I/O脚位比较多,可能在应用设计中需要读取速度较快的可以考虑用这种,数据读取速度可以达到8NS,因为是属于六个晶体管的设计,在价格上比较贵,适合用于以下大型工控类产品,服务器,金融医疗等产品。
3. 伪静态SRAM芯片(也称PSRAM):这款封装一般是BGA的,容量同样可以达到64Mbit,速度一般在70ns左右,价格相对比并口SRAM芯片要便宜。
总体来看,一般看应用设计对外扩SRAM芯片的数据读取速度要求多少,容量以及性价比来选择SRAM芯片。
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可作为MCU外扩SRAM芯片的型号推荐

关键词: 外扩SRAM MCU

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