EEPW论坛

探讨高输出电流应用时的注意事项　其2

如上一篇文章中所介绍的，要想提高输出电流，需要使用导通电阻小的MOSFET。然而，高耐压且低导通电阻的MOSFET通常会具有较大的栅极电容，并且往往具有较高的Qg，因此，需要注意栅极电荷损耗。

下面将在此前使用的条件下，在栅极电荷Qg具有从1nC到50nC的范围条件下，来探讨损耗。

・栅极电荷损耗
  

下图表示Qg和损耗之间的关系。当Qg增加时，栅极电荷损耗也会随之增加。

对策

作为应对这种损耗增加问题的对策，可探讨使用输出电流增加时所需的低导通电阻的MOSFET，且Qg低的MOSFET。实际上存在导通电阻低且Qg足够低的MOSFET，这是可以避免的问题。

需要注意的是，Qg低的MOSFET可能会具有急剧的开关上升/下降，这可能会导致开关噪声变大。虽然这种对策具有提高开关速度、降低开关损耗的优点，但需要充分评估EMI问题，也需要考虑PCB设计。

总结

由于探讨高输出电流应用时的注意事项是分两篇文章进行介绍的，因此在此作一下总结。

在探讨输出电流大的应用时，需要使用导通电阻低的MOSFET，提高开关速度，并选择DCR低的电感。

关于MOSFET，需要选择导通电阻低、Qg低的产品。在这种情况下，开关速度往往会提高，因此需要确认开关噪声是否有增加。