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探讨高输出电流应用时的注意事项其2

工程师
2022-04-20 18:26:55     打赏

探讨高输出电流应用时的注意事项 其2

如上一篇文章中所介绍的,要想提高输出电流,需要使用导通电阻小的MOSFET。然而,高耐压且低导通电阻的MOSFET通常会具有较大的栅极电容,并且往往具有较高的Qg,因此,需要注意栅极电荷损耗。

下面将在此前使用的条件下,在栅极电荷Qg具有从1nC到50nC的范围条件下,来探讨损耗。

・栅极电荷损耗
  栅极电荷损耗


table

下图表示Qg和损耗之间的关系。当Qg增加时,栅极电荷损耗也会随之增加。

损耗Qg图

对策

作为应对这种损耗增加问题的对策,可探讨使用输出电流增加时所需的低导通电阻的MOSFET,且Qg低的MOSFET。实际上存在导通电阻低且Qg足够低的MOSFET,这是可以避免的问题。

需要注意的是,Qg低的MOSFET可能会具有急剧的开关上升/下降,这可能会导致开关噪声变大。虽然这种对策具有提高开关速度、降低开关损耗的优点,但需要充分评估EMI问题,也需要考虑PCB设计。

总结

由于探讨高输出电流应用时的注意事项是分两篇文章进行介绍的,因此在此作一下总结。

在探讨输出电流大的应用时,需要使用导通电阻低的MOSFET,提高开关速度,并选择DCR低的电感。

关于MOSFET,需要选择导通电阻低、Qg低的产品。在这种情况下,开关速度往往会提高,因此需要确认开关噪声是否有增加。





关键词: 探讨     高输出     电流 应用     注意事项    

工程师
2022-04-20 18:30:41     打赏
2楼

学习到了


工程师
2022-04-20 18:35:33     打赏
3楼

果断收藏


工程师
2022-04-20 18:39:04     打赏
4楼

谢谢分享


工程师
2022-04-20 18:43:09     打赏
5楼

谢谢分享


工程师
2022-04-20 18:43:41     打赏
6楼

谢谢分享


院士
2022-04-20 21:32:58     打赏
7楼

学习


工程师
2022-04-20 22:43:19     打赏
8楼
学习

高工
2022-04-20 22:43:02     打赏
9楼

总结的还是比较不错的


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