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雪崩光电二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。
在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子，进而产生电流。

什么是雪崩光电二极管？与其他二极管相比，使用雪崩方法提供额外性能的二极管称为雪崩光电二极管。
雪崩光电二极管将光信号变为电信号，可以在高反向偏压下工作。雪崩光电二极管的符号是类似齐纳二极管。

雪崩光电二极管结构PIN 光电二极管和雪崩光电二极管的结构相似，包括两个重掺杂区和两个轻掺杂区，重掺杂区域是 P+ 和 N+，而轻掺杂区域是 I和P。

在本征区中，与 PIN 光电二极管相比，雪崩光电二极管的耗尽层宽度相当薄。此处，p+ 区的作用类似阳极，而 n+ 区的作用类似阴极。
与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。
工作准则雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时，它会在电阻极大的 p 区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。
只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度最高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。
雪崩光电二极管操作雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。
光纤通信中的雪崩光电二极管在光纤通信 (OFC) 系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比 (S/N)。这里，SNR 是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。
雪崩光电二极管特性雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与 PIN 型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。