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Hello大家好！欢迎观看新一期贸泽电子开箱测评。今天则为大家带来一款罗姆（ROHM）的第4代SiC MOSFET评估套件：P05SCT4018KR-EVK-001。

随着日益增长的行业需求，硅功率器件由于其本身的物理特性限制，已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。

碳化硅材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。20世纪90年代以来，碳化硅MOSFET技术迅速发展，与硅材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了sic器件的高击穿场强和高工作温度。与相同功率等级的硅MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻，开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率。

今天我们为大家带来的就是一款SiC MOSFET芯片，由罗姆（ROHM）生产的SCT4036KR，评估板型号为P05SCT4018KR-EVK-001。

图1：P05SCT4018KR-EVK-001评估板

 1   开发板介绍

先来看下芯片参数，SCT4036芯片主要特性如下：

1）Drain-Source电压值：1,200V

2）Drain-source导通电阻：36mΩ

3）Drain电流：43A

4）总功耗耗散：176W

5）最大结温：175˚C

外形和内部电路如下：

图2（图源：ROHM）

再来看看开发板，该开发板提供了MOSFET驱动电路，驱动电源，栅极信号保护电路等在内的评估环境。主要特征如下：

图3

1）能够评估TO-247-4L，TO-247N

2）支持单一电源（+12V）工作

3）最大250A的双脉冲试验

4）最大500kHz的开关动作

5）支持各种电源拓扑（Buck，Boost，Half-Brighe）

6）内置可调的栅极驱动用绝缘电源（正负）（+12V~+23V，-4.5V~-2V）

7）有源箝位电路（驱动IC内置型）

8）栅极浪涌箝位电路

外观如下图4所示：

图4

开发板上有一些LED灯做工作指示，分布如图5所示：

图5

其功能如下表1所示：

表1（图源：ROHM）

一些主要连接器的功能如下表2所示：

表2（图源：ROHM）

电源端子定义如表3所示：

表3（图源：ROHM）

 2  开发板体验

（以windows电脑为例，其它系统可参考官方教程页）
该开发板可实现多种电源电路的评估，我们以半桥逆变电路为例来进行操作，其它实现，可参考官方提供的手册进行。连接方式如下：

图6（图源：ROHM）

首先，准备脉冲发生器，将CLK信号连接到IN_H_CLK端子和IN_L_CLK端子（CN1，CN101 1pin）。将控制用12V电源连接到Vcc端子（CN201），将负载电感连接到Vsw端子（T2）。准备2台具有相同电压的高压HVdc电源，串联连接，上侧连接到HVdc端子（T1），下侧连接到PGND端子（T3）。在负载电感的一侧连接平滑用电容器和AC负载，将其返回线连接到串联连接的高压HVdc电源的中点。

AC输出为＋侧时HS侧、－侧时LS侧进行开关动作，通过Duty控制CLK信号输出正弦波电压。

操作步骤如下:

1）+12V电源加入

2）通过脉冲发生器设定开关频率和占空比、输入CLK信号

3）HVdc电源加入

4）通过AC负载设备调整输出电流

实验效果查看：

负载使用传统的钨丝灯，观察灯是否亮起，同时使用示波器查看AC电压的波形。

 3   开发板点评/应用方向介绍

图7

1.太阳能换流器

2.DC/DC转换器

3.开关电源

4.电机驱动

5.电磁感应加热

6.电动压塑机

7.PTC

评测感受：

该开发板做工非常扎实，很有份量，厂商在设计时，充分考虑了各种使用场景，提供了多方面的保护电路，如缓冲电路，栅极-源极信号保护电路等，这些电路可以让使用者专注于自己的应用。

如果你对这款开发板感兴趣，可以到贸泽电子官网购买。

图8

来源：贸泽电子