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今天就来围绕EEPROM 和 FLASH展开描述。

ROM的发展

ROM：Read-Only Memory，只读存储器。

以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。---来自百度百科

最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。
因为存在这种弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），可以自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。

因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。

引用一个比如：如果你往单片机下载一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。

随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM:早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。（有点类似前面说的单片机中RAM少的原因》。

至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展的很成熟的EEPROM了。

Flash的发展

1.NOR FlashIntel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
2.NAND Flash1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
3.比较相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。
目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

EEPROM和FLASH区别

当然，还有很多其他区别，但随着技术的提升，它们二者已经很接近了。以前它们不能满足的功能，现在基本都能满足了。

单片机中为啥很少有EEPROM?

通过上面的描述，相信大家基本都能明白，为什么单片机中很少有EEPROM了。
下面简单总结一下几点原因：
1.Flash容量更大，储存数据更多；

2.Flash速度更快，特别是读取速度；
3.同等容量，Flash成本更低；
4.Falsh体积更小，在单片机有限的空间Flash优势更明显；

5.随着RAM增加、CPU处理速度增快，能用Flash“模拟”EERPOM；

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