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由红立方工业集团股份有限公司搜集资料得知：

3D即将出现在DRAM芯片上：

     DRAM芯片焕然一新。总部位于加州的芯片制造商 NEO Semiconductor 推出了突破性的技术，通过 3D 堆叠技术提高 DRAM 芯片密度。NEO Semiconductor 在一份声明中解释说，新的存储芯片“大大提高了 DRAM 容量，同时仍需要低成本、低维护的制造工作。”

     NEO Semiconductor 的 3D X-DRAM 技术是世界上第一个基于后者的 3D NAND-like 技术。  

     3D NAND 也称为垂直 NAND 或 V-NAND。它是一种非易失性闪存，其中晶体管管芯中的闪存单元垂直“堆叠”以增加存储密度。制造商可以在不牺牲数据完整性的情况下将多层单元堆叠在单个晶体管芯片上。NEO Semiconductor 通过创建基于无电容器浮体单元技术的 DRAM 单元阵列结构，将相同的工艺应用于 DRAM 芯片。这些 3D DRAM 芯片可以使用与 3D NAND 相同的工艺制造。  

     NEO Semiconductor 表示，“电池结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、低成本和高产量的解决方案。” 该公司表示，新的 3D X-DRAM 芯片可以实现“128 GB 的密度和 230 层，比今天的 DRAM 密度大八倍。”

     3D DRAM 芯片的功能有望帮助驱动下一波人工智能应用，例如 ChatGPT。NEO Semiconductor 的创始人兼首席执行官 Andrew Hsu 认为，由于对高密度 DIMM 模块的迫切需求，这可能是新兴 3D DRAM 市场的领先解决方案，因为其在服务器市场中制造和扩展的廉价解决方案。NEO Semiconductor 目前的生产路线图可以看到到 2030 年使用 3D X-DRAM 的  1Tb 内存 IC 。

     相比之下， NAND 和 DRAM 产品的领先制造商三星电子提供最高密度的 16Gb 容量的 DDR5 DRAM IC。它应该很快推出 32 Gb IC。如果它将芯片堆叠与这些模块结合起来，它可能会在 2023 年底或 2024 年初带来 1Tb 内存模块。这比 NEO Semiconductor 的预期生产日期早了很久。  

    当然，NEO 的生产将有助于缓解目前存在的 2D DRAM 瓶颈，这对于未来的短缺将是非常有益的。