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电磁兼容保护器件-TSS半导体放电管

TSS特点

l 击穿（导通）前相当于开路，电阻很大，漏电流小，一般为几微安甚至零点几微安；

l 击穿（导通）后相当于短路，TSS管两端电压接近0V，可通过很大的电流最大几百安培，VT压降很小；

l 具有双向对称特性；

l 响应速度都很快，ns 级；

l 击穿电压一致性好；

l 封装有SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,SMB-T,SOD123、DO-15等，目前以SMA,SMB为主流。

TSS的选型技巧：

1. TSS的Vdm（断态峰值电压）应高于被保护电路的最大工作电压；

2. 开关电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压；

3. TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；

4. 根据PCB布局选用TSS封装结构；