MOS管开启过程中的米勒振荡是一个重要的电子电路现象,以下是对其的详细解释:
米勒振荡是指在MOS管(金属氧化物半导体场效应管)开启过程中,由于强的负反馈引起的开关振荡现象。这种振荡会导致MOS管的二次导通,对电路的稳定性和可靠性产生不良影响。
二、米勒振荡的形成原因
米勒电容的影响:在MOS管的开启过程中,米勒电容(Cgd)会起到关键作用。当MOS管栅极电压(Vgs)上升时,通过米勒电容产生的电流会在栅极寄生电阻上产生压降,这个压降会反馈到栅极,从而影响Vgs的变化。如果米勒电容足够大,并且栅极电压变化速度快,那么通过米勒电容产生的电流就会很大,这会引起栅极电压的显著变化,进而产生振荡。电路元件参数配合不当:当电路中的MOS管和其他元件(电阻、电容、电感等)的参数配合不当时,也可能引起电路的振荡。如果栅极电阻较小,而源极寄生电感较大,那么在MOS管开启时,寄生电感上产生的电压就会很大,从而引起栅极电压的过冲现象和振荡。
开通过程:在开通过程达到米勒平台前,驱动电阻过小导致栅极电压Vgs上升过快,Ids上升过快,线路寄生电感产生的电压与驱动信号电压叠加,使得栅极电压Vgs超过米勒平台,产生振荡。 关断过程:Vds下降过快,导致Idg>Ig,Cgs放电,Vgs降低,Ids减小,Ids可看作是IL与Idg的叠加,当Ids小于IL时,IL向Cdg充电,即有电流Idg向Vgs充电,导致Ids上升,如此往复形成振荡。三、米勒振荡的影响
电路性能下降:米勒振荡会导致电路中的电流或电压出现持续的正弦波或类似波形,这会影响电路的正常工作。在某些情况下,振荡可能导致电路性能下降,甚至导致电路无法正常工作。器件损坏:在后级大功率半桥、全桥等H桥拓扑结构应用中,米勒振荡容易导致上下管子瞬间导通,从而产生过大的电流和电压,最终可能炸毁管子。
五、如何应对米勒振荡?
减缓驱动强度
提升MOS管G极输入串联电阻至约1至100欧姆,视MOS特性与工作频而定。阻值越高,开关速率越慢。
在MOS管GS间并接瓷片电容,容量约为1nF至10nF,根据实际需求调整。
通过增加电阻电容值,缩短充放电时间,降低开关边沿速率,尤其适用于硬开关电路,以消除振荡现象。但需注意,此举会导致MOS损耗增大,应根据实际电路进行选择。
增强关断能力
差异化充放电速率,利用二极管加快放电过程。当第一种方案不足时,关闭时直接把GS短路
米勒振荡还有可能是MOS源极对地寄生电感偏大,在MOS进入开启状态从二极管换流至MOS的瞬态电流在MOS源极对地的寄生电感上产生一个压降,所以在PCB布板的要遵守开关电源布板的基本要求。
总结:
米勒振荡是MOS管开启过程中的重要电子电路现象,由强的负反馈引起,会导致电路性能下降甚至器件损坏。
其形成原因主要包括米勒电容的影响和电路元件参数配合不当。为了应对米勒振荡,可以采取多种措施,增加栅极电阻、并联电容、优化电路设计等。在选择MOSFET时,应选择Qgd较小的产品,并尽量减少寄生效应,如缩短驱动走线、避免栅极与漏极之间的寄生电容等。
还可以通过减缓驱动强度或增强关断能力来应对米勒振荡。在PCB布板时,需要遵守开关电源布板的基本要求,以减少寄生电感对米勒振荡的影响。综上所述,应对米勒振荡需要综合考虑多种因素,以确保电路的稳定性和可靠性。