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所谓瞬态过压是指微秒至毫微秒之内产生的尖峰冲击电压。

这种尖峰冲击电压有别于一般电源上所谓过电压，因一般电源过电压可能维持数秒以上，过压幅值较小，而这种尖峰冲击电压幅值有时会非常高，既可能发生在电源系统中，也可能发生在信号系统中。

瞬态过压现象的发生与整个自然界和人为的电气系统的设备操作有关，自然界的雷电、极光、电晕、静电、辐射和电离，都可能导致瞬态过压。在各种不同类型的瞬态现象中，雷电和开关转换冲击是最普遍的低压系统事故根源。瞬态过压进入低压电子系统的时候，能使电子电路产生故障或损坏。据据守估计，电子设备发生的误动作，平均有一半是瞬态过压造成的，损失难以估量。因此，在当今电子化时代，雷电和瞬态过压成了一大公害。

常用的雷电过电压保护器件

1）陶瓷气体放电管GDT：开关型过压保护元器件，通流量大、极间绝缘电阻大、响应速度较慢、寄生电容小，为此，在高频电子线路保护中有着明显的优势。GDT常用于多级保护电路中第一级或第二级的保护。

2）压敏电阻MOV：钳位型过压保护元器件，通流量大、响应速度慢、寄生电容大，在实际应用中，常与GDT串联应用，减缓老化，提高可靠性，延长使用寿命。

3）半导体放电管TSS：开关型过压保护元器件，精确导通电压、ns级响应、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高，并联在电路之中。

4）瞬态电压抑制二极管TVS：钳位型过压保护元器件，瞬态功率大、低漏电流、pS秒级响应速度、钳位电压易控制、电压精度高、钳位能力卓越、击穿电压偏差小、小体积，常用于敏感电子零件中的过压保护。

浪拓电子防护电路架构

在电路设计中，一般遵循“多级防护、逐级削减”的原则，组合使用多种保护元器件方案，实现系统级、高可靠的浪涌防护。