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微处理器和应用特定集成电路 (ASIC) 需要低电压、高电流电源。此类电源通常对输出电压偏差有非常严格的要求，对于负载瞬态事件尤其如此。测试此类电源会给设计人员带来一定的挑战，并且可能难以确认是否符合规范。

本文将介绍更多负载瞬态测试的详细信息以及可用于简化这些复杂测试的方法。

首先，需要了解所有瞬态规格，以便合理设计电源，同时还需要了解它们如何应用于测试。典型的瞬态规格包括：

• 负载阶跃大小，以安培为单位或以占满负载的百分比表示。
• 瞬态事件（有时为零）期间的最小负载。
• 负载阶跃的压摆率，通常以安培/微秒为单位。
• 阶跃两个边沿支持的最大电压偏差。
• 预期恢复时间。

图 1 展示了通常如何定义这些规格的示例。


图 2：包含 FET 冲击的 PCB 示例

在尝试测试高电流、高速瞬态的性能时，板载瞬态发生器会非常实用。可以按照确切的负载瞬态规格设计电路。主要缺点是元件会产生额外成本和空间占用。此外，灵活进行多种不同的测量可能既困难又耗时。

板载瞬态发生器的设计也可能非常复杂。它可以像由 555 计时器控制的电阻器和 FET 一样简单，也可以像图 3 中所示的一样复杂。更为复杂的设计采用尺寸更小、开关速度更快的多级 FET。此设计可实现 1000A/μs 的压摆率。


表 1：不同瞬态测试方法的比较

测试负载瞬态是电源设计和合规性的非常重要的部分。测试装置中的寄生电感会阻碍实现所需压摆率。希望本文介绍的各种方法可以帮助您避免这个问题。