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扬杰电子MG75HF12TLC1IGBT模块:大功率应用的可靠选择

助工
2025-06-20 17:21:52     打赏

在工业自动化和电力电子领域,高效、稳定的功率半导体器件是确保设备性能的关键。扬杰电子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC1 IGBT模块,是一款专为高功率应用设计的高性能解决方案。凭借其先进的沟槽技术和优异的电气特性,这款模块成为电机驱动、UPS系统等领域的理想选择。

MG75HF12TLC1 .png

产品概述

MG75HF12TLC1是一款电压等级为1200V、额定电流75A的IGBT模块,采用低饱和压降(VCE(sat))的沟槽技术,显著提升了开关效率和功率密度。模块内置超快软恢复反并联二极管,进一步优化了整体性能。其最高结温可达175℃,并具备高短路承受能力(10微秒),适用于严苛的工作环境。

核心优势

    高效能与低损耗模块的饱和压降低至1.95V(25℃时),且具有正温度系数特性,确保高温环境下性能稳定。其开关损耗极低,开启能量损耗(Eon)为17.7mJ,关断能量损耗(Eoff)为4.9mJ,适合高频开关应用。

    高可靠性设计模块采用低电感封装技术,热阻极低(IGBT部分热阻为0.26 K/W),散热性能优异。此外,其宽工作温度范围(-40℃至150℃)和高达300A的短路电流承受能力,确保了在极端条件下的稳定运行。

    集成化解决方案模块不仅包含高性能IGBT,还集成了快速恢复二极管,为用户提供完整的功率开关解决方案。这种设计简化了系统布局,减少了外部元器件需求,提高了整体可靠性。

典型应用

MG75HF12TLC1广泛应用于以下场景:

电机驱动:为工业电机和伺服系统提供高效能量转换。

不间断电源(UPS):确保电源切换时的快速响应和高可靠性。

软开关焊机:优化焊接设备的能效和稳定性。

MG75HF12TLC1 2.0.png


技术亮点

模块的关键参数包括:

电气特性:栅极阈值电压5.8V(典型值),输入电容5.83nF,反向传输电容0.23nF。

开关特性:开启延迟时间358ns,上升时间219ns,关断延迟时间440ns。

二极管性能:正向压降低至1.45V(150℃时),反向恢复电荷3.28μC。

此外,模块通过了2500V的隔离电压测试,符合RoHS标准,体现了其高安全性和环保性。

总结

扬杰电子的MG75HF12TLC1 IGBT模块凭借其高效能、低损耗和高可靠性,成为高功率电力电子应用的优选。无论是工业自动化还是新能源领域,这款模块都能提供卓越的性能表现。扬杰电子通过持续创新,为全球客户提供高质量的功率半导体解决方案,助力电力电子技术的进步。



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