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EVB 板由功率底板：CMSMotion_EVB_V1.0 和 MCU 主控板：CMS32M5510_MCU_EV_V1.0、CMS32M5710_MCU_EV_V1.0、CMS32M6510_MCU_EV_V1.0、CMS32M6710_MCU_EV_V1.0 组成。

各模块的分布图如图所示，主要功能模块包括：

l 电源输入：DC 12~48V电源输入，功率500W以下。

l 电源芯片：CMS6021B集成12V和5VLDO，带外部使能开关，零关断待机功耗。分别为驱动和MCU供电。

l 电源指示灯：5V电源工作正常指示。

l 用户按键：用户可配置启停功能。

l 电位器：用于模拟调速，通过P9选择。

l 串口接口：支持串口通信。

l 霍尔接口：支持开关霍尔信号接入。

l 驱动芯片：CMS6D164为200V中压三相桥电机预驱。

l 电机三相输出接口：电机U\V\W三相输出。

l MCU架板：可替换成相应的MCU主控板

从PCB可以看出电路设计布局很合理，驱动使用了CMS6D164芯片完成了6个开关管的驱动，位置放在主控芯片和NMOS之间；电源设计使用了LDO(CMS6021B芯片)进行降压，完成了30V到12V、5V两路电压轨的降压，输出 12V 电压给驱动供电,输出 5V 电压给 MCU 供电简化了电路设计，在图中左下角位置;CMS6021B芯片悬浮偏移电压+200V,电源电压工作范围：5V~20V, 内置 VCC、VBS 欠压保护 UVLO，内置 350ns 死区时间（编程时可以省去SVPWM中的死区时间设置）;CMS6021B芯片输入电压范围20V以下，所以在30V输入电路后接了一个散热电阻将电压进行分压，个人觉得这个电阻尺寸还可以设计得更大一些更有利于散热。当然输入端电压不能太高，比如如果高于30V，设计使用了前级稳压加三极管电路，使输入端电压钳位在30V，这样的电源设计简单，对于24V输入（接跳线）有较高可靠性，但是如果长期工作于48V输入电压，这一块电路散热比较大，可以使用buck电路替换，而且散热电阻也需要在反复测试后再确定尺寸和阻值（因为它有2个任务散热和分压）；

电机驱动电路：电机功率驱动 NMOS Q1、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7。为 TO-252-2 封装、耐压 60V、80A 持续电流、内阻 8.5mΩ。R18、R19、R20、R55 采样电阻选用 0.02R/2W 电阻，最大电流 10A。

相电流采用 3 颗 0.02R 电阻采样，通过单片机内置 PGA 将相电流信号放大，由于通过桥臂电阻采样到的电压信号有负值，为了能得到准确信息，内部 PGA 有偏置电路。如图所示，经过Vref/2的偏置之后，通过 MCU 内部 PGA 放大，运放直接输出到内部 ADC 读取电流值。

程序可以使用2电阻采样也可以使用3电阻采样，阅读代码还有单电阻采样程序，只需要简单设置 参数Config_Shunt_Mode就可以在不同采样方式之间切换。在para_define.h文件中有如下宏定义：

#define  Single_Shunt               (0)                      

#define  Double_Shunt              (1)                      

#define  Treble_Shunt               (2)                      

#define  Config_Shunt_Mode      (Single_Shunt)

设置为单电阻采样方式进行电机测试实验，但是电机运行情况不是很稳定，然后将相电流采样方式切换成双电阻采样，运行就稳定了；在电脑安装好stmstduio软件，这个软件可以通过stlink实时采集驱动芯片数据，并且以曲线图形方式显示，有利于动态观察电机运行过程。上电运行，有如下结果显示：

以及观测角度：

代码编写基本上符合以下框图：

比如PARK变换代码：

stru_Curr_dq.Id = ((stru_SinCos.Cos * stru_Curr_alphabeta.Alpha)>>15)  + ((stru_SinCos.Sin * stru_Curr_alphabeta.Beta)>>15);  

stru_Curr_dq.Iq = ((stru_SinCos.Cos * stru_Curr_alphabeta.Beta )>>15)  - ((stru_SinCos.Sin * stru_Curr_alphabeta.Alpha)>>15);

与框图中park变换对应；从开发学习的角度这块开发板都是很好的选择，当然为了技术保密的需要厂家也封装了角度观测器等代码。

最后，给出电机接线图：

视频在下面的回复中。