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特锐祥 TADC222MO 以 SMB-Y5V222M/1KV A4 规格构建了高压瓷片电容的新维度，通过 Y5V 材质的改性工艺与叠层技术创新，在 4.5*3.9*2.35尺寸内实现 2200pF 容值与 1KV 耐压的平衡，为高密度电路设计提供了突破性元件方案。

规格型号中的 “Y5V” 定义了其材料属性：在 - 30℃~+85℃温度范围内，电容值变化率为 ±22%~-82%，属于温度敏感型陶瓷介质，将介电常数稳定在 2800±10%，使 222M（2200pF）容值在 25℃时的偏差控制在 ±20%。“1KV” 耐压参数则通过 180 层以上的陶瓷 / 电极叠层实现，单层层厚仅 1.3μm，经 1250℃共烧后形成致密的介电层，击穿场强达 769V/mm。

区别于传统 Y5V 电容，TADC222MO 采用三层界面修饰技术：

· 晶粒优化：通过溶胶 - 凝胶法制备平均粒径 0.9μm 的 BaTiO₃粉体，使晶界电阻提升 3 倍；

· 包覆处理：Al₂O₃-SiO₂复合涂层包裹晶粒，抑制高温下的离子迁移；

· 气氛烧结：在 N₂/H₂混合气氛中烧结，降低介质层的氧空位浓度，使 25℃绝缘电阻达 10⁴MΩ。
这一系列工艺使电容在 85℃/85% RH 环境下的漏电流 < 0.5μA，较传统 Y5V 电容提升 50%。

TADC222MO 采用 3000pcs 防静电编带包装，通过 ISO9001:2015 认证的自动化产线生产，批次间容量波动 <±8%。对比同类产品，其优势体现在：

成本控制：SMB 封装较同参数直插电容成本降低 35%；

认证体系：通过 UL94V-0 阻燃与 ROHS 2.0 认证，满足电子设备环保要求；

工艺兼容性：兼容 260℃无铅回流焊，焊盘设计符合 IPC-7351 标准，便于 PCB 布局。

这款电容以材料改性与工艺创新打破了 Y5V 介质在高压场景的应用限制，为电源模块、信号滤波等领域提供了高容值与高耐压兼具的贴片解决方案，推动了高压陶瓷电容向小型化、低成本方向发展。