串联切断型过压保护电路

电路核心元件

正常上电，输入7V，没超压

输入7V，D9是5.6V稳压管，所以B点被摁在5.6V

Q8是PNP管，E点接7V，B点5.6V，E比B高1.4V，PNP管导通

Q8一导通，C点就被拉到接近7V，也就是高电平

这个高电平送到Q7（P沟道MOS）的栅极G

Q7的源极S也是7V，栅极G也是7V，Vgs≈0

PMOS管关断，VOUT没输出

输入正常时，让MOS管导通，电正常送到后面；输入一过压，把MOS管关掉，后面断电。

正常电压（比如7V，没超过设定阈值）：

稳压管D9还没到击穿电压，或者三极管的状态让Q7的栅极被拉低

Q7的Vgs是负的（源极7V，栅极被拉低），PMOS导通

VOUT正常输出

输入过压（超过5.6V+0.7V左右）：

D9击穿导通，B点被钳在5.6V

Q8这个PNP管，E点跟着输入电压往上升，B点还是5.6V

E和B之间压差够了，Q8导通

Q8一导通，C点输出高电平，把Q7的栅极G拉高

Q7的源极S和栅极G都是高电平，Vgs≈0，PMOS关断

VOUT被切断，后面设备安全了

假设输入是 5V（还没到D2的5.1V）。

第一步，看D2：

D2是5.1V稳压管，现在5V还没到5.1V，D2不导通，相当于断路。R4这一路没电流，R4两端也没压降。

第二步，看Q2：

Q2是PNP管，它的发射极E接在输入电压上（5V），基极B通过R5接到D2上方，D2没导通，所以B点电压也差不多是5V。

E和B都是5V，没有压差，PNP管不导通，Q2截止。

第三步，看Q1：

Q2截止，相当于没这个人。Q1的基极B通过R6被拉到地（0V）。

Q1也是PNP管，发射极E接5V，基极B被拉到0V，E比B高，Q1导通。

 Q1导通，电从输入一路流到输出，后面负载正常供电。

正常时，D2不捣乱，Q2装死，Q1老老实实导通送电。

输入过压时，电路怎么翻脸

假设输入突然升到 7V（超过D2的5.1V）。

第一步，看D2：

7V超过5.1V，D2扛不住了，反向击穿导通，把R4下面那一点的电压死死摁在5.1V。

R4上面是7V，下面是5.1V，所以R4上有电流，产生压降。

第二步，看Q2：

Q2的发射极E直接接输入，现在是7V。

Q2的基极B通过R5接在D2上方，被钳在5.1V。

E（7V）比B（5.1V）高了将近2V，PNP管的E-B正向偏置，Q2导通。

第三步，看Q1：

Q2一导通，它的集电极C就跟着输出接近7V的高电平，直接送到Q1的基极B。

Q1的发射极E也是7V，基极B也被拉到了7V附近，E和B压差接近0，Q1截止。

Q1关断，输出断电，后面负载安全了。

过压时，D2击穿→Q2导通→Q1基极被拉高→Q1关断→输出断电。