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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布，现已收购Raytheon公司属下射频元件机构的商业事业部。据了解，通过是次收购行动，飞兆半导体得以迅速进入包括无线局域网络和手机功率放大器等应用的高端射频(RF)市场。这项协议还将砷化镓单片式微波集成电路(GaAs MMIC)纳入了飞兆半导体的多元终端产品用高性能构件系列。该业务部将归纳于以飞兆半导体执行副总裁兼总经理Izak Bencuya博士为首的飞兆功率分立器件部。 Bencuya称：“在飞兆半导体现有的功率产品中增添射频功率放大器，增强了飞兆半导体在无线通信市场的地位，同时能够扩大公司在无线局域网络(WLAN)和手机领域的设计机会。据研究机构Strategy Analytics预测，到2006年砷化镓功率放大器的市场规模将达到7.7亿至12亿美元，复合年增长率为16%，这将是飞兆半导体Power Franchise计划的另一个发展方向。我们预期到2004年下半年该项业务的每季销售额将超过500万美元。” 此外，飞兆半导体亦收购了Raytheon公司的砷化镓晶圆的晶圆代加工合作协议，以及WIN半导体公司的部份股权，同时有权使用Raytheon公司在马萨诸塞州安杜佛市(Andover)的晶圆代加工厂和支持服务。 这项资产收购协议和知识产权转让的内容之一，是30多位Raytheon公司的设计人员、测试工程师和业务发展雇员将加入飞兆半导体。Raytheon公司射频元件机构前任业务发展副总裁Russ Wagner将领导这个团队。 据悉，飞兆半导体新的射频元件机构开发和大批量生产无线通信用元器件，其中包括 GaAs MMIC、传送和接收模块，以及半导体器件。应用包括HBT和pHEMT功率放大器以及用于手机和WLAN的低噪声放大器。其它产品包括用于无线电基站、数据通信系统和毫米波系统的元件，以及用于太空通信系统的发送/接收模块。