射频集成电路厂商RF Micro Devices, Inc.公司(RFMD)日前宣布，已生产出应用于CDMA以及JCDMA的RF2890高性能双频手机/GPS LNA/混频器，以满足业界追求更小封装尺寸以及更强大功能的需求，使手机工程师能有效地实现设计目标并缩短产品上市时间。 RF2890带有一个三增益态LNA增益(17.5 dB增益控制)且整合了一个单增益态高IIP3混频器(8.5 dBm)。整合的可选LO预定标器使VCO选择更为灵活。此外，该器件还配有一个TX LO缓冲放大器。RF2890可超越所有TIA/EIA 98D的灵敏度、互调制以及单音要求，能为GPS LNA/混频器提供专用低电流(15.5mA)，且增益为 32.5 dB。可根据实际应用需要通过调节针对LNA和混频器功能的片外偏置电流参考电阻以实现所需求的RF2890性能。 据了解，RF2890采用硅锗(SiGe)工艺，以4x4mm QFN封装，所有插脚都具备ESD保护。若以10,000件为批量，每件RF2890价格为2.45美元。RFMD现时可提供该产品的样品、已完全组装的评测板并可大批量生产。