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市场研究公司iSuppli日前指出，Hynix、英飞凌(Infineon)、美光(Micron)和三星电子(Samsung)等全球主要内存厂商，仍在为解决其最新工艺面临的问题而绞尽脑汁。工艺问题制约了生产，引起DDR SDRAM价格上涨。由于这些DRAM厂商正面临垄断价格的指控，生产问题令它们雪上加霜。 iSuppli的首席分析师Nam Hyung Kim还表示，某些一线内存芯片供应商正在通过限制供应和涨价来提振DRAM市场。他没有透露这些厂商的名字。 Nam Hyung Kim在接受采访时表示，所有DRAM制造商在从0.14或0.13微米向0.11或0.10微米工艺过渡的过程中都遇到了生产问题。Kim表示，对于DRAM产业来说，向更新和更复杂的工艺过渡是很平常的事情，但是这次过渡所花费的时间要长于以往。 “除了三星电子，各厂商在采用0.11微米工艺时都遇到了麻烦。”Kim对Silicon Strategies表示。 Kim指出，甚至DRAM巨头三星电子在从0.11微米向0.10微米工艺过渡时也出现了问题。他说，三星的情况较好，正在采用其成熟的0.11微米工艺，但它的0.10微米芯片存在合格率的问题。 三星采用了一种新材料，据称这就是问题所在。Kim表示，这个问题似乎无法在短期之内得到解决。 三星不是唯一一家遇到生产问题的DRAM厂商，Hynix、英飞凌和美光各自的0.11微米工艺也有问题。规模较小的厂商，特别南亚科技和台湾地区的其它厂商，也不是一帆风顺。 CNET报导称，生产问题是大型DRAM厂商遇到的新问题。此外，欧盟正在调查主要DRAM厂商是否参与了2001年价格垄断。 有消息称，韩国的三星电子和Hynix、美国的美光、欧洲的英飞凌均在被调查之列。最近美国华尔街日报电子版上的报导指出，美国检察机构正在对全球主要DRAM制造商进行调查。两年前内存价格大幅上扬，这些制造商涉嫌共谋价格垄断。 现在，有些DRAM制造商面临价格垄断的刑事起诉，而其它厂商则在考虑是否向检查机构认罪求情，但仍可能面临巨额罚款。