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瑞萨科技公司(Renesas Technology)公司日前表示，将把AND闪存技术应用于生产中，以增加公司在NAND型存储器市场的份额。瑞萨公司存储业务集团执行总经理Masahiro Yamamura表示，“2005财年，我们将把产能从2003财年的规模扩大6倍，市场份额提高2.5倍。” 瑞萨公司的AND闪存技术是来自母公司日立，并将该技术扩展到Assist Gate-AND存储器领域，该存储器具备10 Mbytes/s的写速度。这与NOR存储器速度类似，并且高于NAND型存储器。瑞萨估计MLC NAND的写速度为2Mbytes/s到7Mbytes/s之间。 2003年，瑞萨公司开始使用0.18微米处理工艺，尽管该公司NAND已经用上了0.13微米工艺过程。2004年瑞萨公司推出了使用0.13微米的1Gb容量的存储器件，并计划到2004年底开始推出采用90纳米工艺的4Gb容量的闪存器件。 Yamamura说，“在日立和三菱公司的成立瑞萨公司之后，存储器的研发资源得到有效加强。2003年，瑞萨公司位于三星和东芝之后，但是我们想要到2005年达到并超过这些公司。”该公司的目标是获取全球市场份额的15%。 在2003财年，瑞萨投资大约5.37亿美元用于扩充产能。到2004年底，位于Terecenti Technology Inc的300毫米晶圆厂将扩张到每月10,000片晶圆。 瑞萨公司没有透露本财政年度的其他投资细节，只是表示将继续投存储器业务。到2007年，瑞萨公司计划扩大3倍产能，并且将65纳米工艺用于制造8Gb容量的存储器。