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无线和消费应用市场迅速增长，吸引Hynix、意法半导体(ST)、英飞凌(Infineon)等DRAM厂商进入闪存领域，并刺激所有厂商提高闪存的存储密度和降低单位比特的成本。 有两种重要的NAND闪存架构：SBC与MLC。MLC比较复杂，采用该架构的生产工艺通常比SBC落后一代或多代。三星采用SBC，东芝则青睐MLC架构。 三星抢先采用先进的90纳米工艺推出SBC架构，目前具有竞争优势。较长期来看，如果能够获得成功，采用MLC架构的供应商可能获得优势。 MLC的一大优点在于，可以利用相对成熟的工艺实现较高的存储密度，在成本和良率方面具有优势，可能抵消或者超过先进工艺所具有的裸片尺寸缩小的优势。东芝最近披露，它将推出一种4 Gb NAND闪存，采用90纳米工艺，从而把密度提高一倍。如果成功，东芝将在成本方面取得较大的优势，威胁到三星的市场垄断地位。 强劲的市场推动力和越来越激烈的竞争，将迫使所有闪存供应商通过工艺、封装和电路创新来不断降低单位比特的成本。