美国内存芯片厂商美光(Micron Technology)正在扩展其存储业务，计划生产NAND闪存，面向存储卡、USB设备和其它大容量存储应用。 该公司表示，在DRAM业务的基础上走向多元化，涉足NAND和CellularRAM器件，以及CMOS影像传感器，因为这些领域“提供了大量机会。” 美光仍然认为，NAND闪存目前是“市场中增长最快的半导体领域”。美光的第一款NAND闪存容量为2Gb，计划于今年年底前提供样品。 “利用我们的制造能力、先进工艺和产品技术以及资本投资，美光计划打入该市场并成为三大供应商之一。”美光网络及通讯副总裁Jan du Preez在声明中表示。 他说，美光将“强力”进军NAND市场，最初将采用该公司的90纳米工艺，随后将是72纳米和58纳米，密度将达到16Gb。