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东芝美国公司不久前推出一种多芯片封装(MCP)NAND闪存解决方案，据称这种新型的1.8伏MCP解决方案可在一个小的芯片级封装(CSP)内支持NAND闪存、SRAM和SDRAM器件的组合。同时它还支持东芝公司的两款新型器件，即单独的1.8伏突发模式NOR闪存和突发模式伪SRAM（PSRAM）芯片。通过新的MCP，东芝公司可以向OEM客户提供2.5G和3G高端手机所需的存储器件。 东芝美国电子元件公司通讯存储器产品事业部业务开发经理Scott Beekman指出："新的MCP采用2~6个裸片堆叠结构，能够满足客户对设计空间和对系统的要求。"东芝表示现阶段手机的设计需要在更小的封装内变换各种存储芯片的组合方式，以期获得最优的性能。通常手机生产商需要用NOR闪存来存储代码，用SRAM和PSRAM来存储数据，但由于NAND技术针对数据存储具有更快的擦写速度，现在厂商们开始使用NAND闪存来补充或替代NOR闪存。 新型的1.8伏NOR和PSRAM器件可使手机以更快的速度来读写较大的文件,其中128M NOR器件是一种8MX8芯片，存取时间仅有10NS。128M PSRAM在待机模式下仅需要200mA的电流。8MX8芯片或在MCP解决方案中提供，或在12X9 PFBGA的封装下以散件形式提供,但NOR器件最初将仅在MCP中提供,东芝公司MCP战略的关键因素是他所提供的NAND闪存,新的MCP可基于130nm工艺和MLC技术，配置成256M或512M。 SLC Vs MLC 器件 与其他同行不同的是，东芝公司的产品可以在同一封装内同时提供基于NAND和基于NOR的闪存器件，其基于NAND的闪存采用了多层控制单元(MLC)技术。与1比特/单元的单层控制单元(SLC)技术相比，MLC NAND闪存允许每个存储单元存储2比特的信息。SLC NAND闪存的速度高达100,000 个写/擦循环，相比较而言，MLC NAND的速度为10,000个循环。东芝美国公司存储部营销总监Scott Nelson指出对于很多应用，SLC NAND显得有些"威力过大"，他说："SLC速度确实很快，只是消费者无法感受到它与MLC的明显差别，SLC有其特定的应用领域，但大多数消费类电子产品只需要MLC就够了。同时MLC NAND还具有可伸缩性。" 目前使用NOR技术的一些公司，尤其是英特尔公司，正在积极推广此技术在代码和数据存储领域的应用。但Beekman还是比较看好NAND技术，他指出："当你进入百万像素拍照手机领域的时候，你确实需要NAND，因为它具有卓越的数据存储能力，NOR甚至还没有接近数据存储应用。" 针对三星电子公司在90nm SLC NAND 闪存方面取得的成绩，最近东芝公司及其合作伙伴SanDisk共同推出了第一批基于90nm技术的MLC NAND闪存器件，其中包括业界第一个4G单晶MLC NAND芯片。此外，东芝公司还推出了一种8G NAND闪存IC，它在一个单一封装中堆叠了2个4G NAND闪存。这些芯片以东芝公司的"大数据块"存储页／块技术为基础。预计今年东芝还将推出另外三种基于90nm工艺和"大数据块"技术的NAND器件,存储量分别为512M、1G和2G。 根据东芝公司的产品规划表，2005年东芝公司还计划陆续推出基于70nm工艺的1G、2G、4G、8G和16G的NAND闪存器件，8G器件堆叠了两个4G芯片，而16G产品则堆叠了2个8G闪存。东芝公司将首先推出4G、8G和16G的产品，然后才是1G和2G产品。到2006年中期或者2007年，公司将开始生产基于55nm工艺的16G器件。这些新芯片将在东芝公司的日本Yokkaichi工厂生产，预计300mm晶片的量产将从2005年下半年开始。