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富士通微电子亚洲私人有限公司(Fujitsu Microelectronics Asia Pte Ltd)日前宣布推出128Mb的Mobile Fast Cycle RAM (FCRAM)存储器——MB82DBS04314C和MB82DBS08164C。该产品采用符合移动RAM通用规范(COSMORAM)修订版3规定的脉冲方式进行工作。 128Mb的MB82DBS04314C和MB82DBS08164C工作在单1.8V电源下，可达到最高108MHz的脉冲工作频率，能满足下一代移动电话应用的需求。据富士通公司介绍，该器件在脉冲模式下具有高数据传输率，可通过与系统时钟的同步实现快速可靠的读/写操作。 该存储器件最大待机电流为300μA，并可通过用户配置的睡眠和局部低功耗等方式进一步降低待机电流。其中，MB82DBS04314C号称业界首个采用32位地址/数据多路复用总线的128M PSRAM，它扩展了数据总线宽度，与现有产品相比可实现超过双倍数据率的传输速率，同时通过减少引脚数量简化用户电路板的设计。这种存储器的高速和大容量性能适合于3G手机等应用。 上述产品将提供单片封装形式，以及适合嵌入式应用(包括多芯片封装存储器解决方案)的芯片或晶圆形式。