EEPW论坛

意法半导体(ST)日前宣布量产VFBGA55版256兆位“小页式”(Small Page) NAND闪存芯片，新闪存将采用8×10mm的微型网格阵列封装，以允许制造商把大容量存储器用于便携设备中，如相机手机、智能手机、经济型数码相机、个人数字助理和USB记忆棒，以及其它电路板空间有限的产品。 这个1mm厚的封装的球形引脚与其它NAND产品兼容，但在典型应用中，这种封装可以节省电路板空间大约20%，NAND256是ST的NAND闪存产品组合中的一个，组合中的其它产品还包括128、256、512和1000兆位的产品，所有产品的电源电压是1.8V或3.0V。 新闪存提供超高速数据吞吐量和擦除功能，以及手机、个人数字助理和其它便携产品要求的小功率编程和低压操作。这个器件采用先进的120nm开发技术，而且小存储单元尺寸确保为成本敏感的产品最大限度降低成本。 这个存储器由2048个16KB标准存储块组成，每个存储块再分成512字节的页，每页还有16个备用字节。新存储器可以按页读写和编程。16个备用字节通常用于存储校验代码、软件标志或错误块识别。数据复制编程模式可以把存储在一页的数据直接复制到另一页编程，这个功能通常用于把数据移出错误存储块。数据块擦除指令实现2ms擦除时间，每个块额定100000次擦写次数，10年数据保存期限。 ST的软件工具允许快速开发使用NAND闪存系列产品的设备，并有助于延长闪存的使用寿命。这些开具包括错误校验代码(ECC)、错误块管理(BBM)、优化器件的老化的磨损校准算法以及硬件仿真模型。 器件选择设置包括“上电后自动读取0页”和“组件自动选通”，前者专用于从NAND内存引导的应用，而后者则简化了微控制器的接口，使NAND闪存与其它 类型存储器如NOR闪存和SRAM的配合使用变得简单。在产品出厂前，制造商可以写入一个唯一的设备ID号，而用户编程的序列号则有利于提高目标应用中日益提高的安全性。 NAND256W3A (3V)和NAND256R3A (1.8V)目前采用VFBGA55 8×10mm焊球阵列封装(ZA), 订购100,000套的单价为6美元(仅供参考)。