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在今年2月美国旧金山举行的国际电子器件大会 (IEDM) 上，Silicon Strategies总编Mark LaPedus有幸采访了德州仪器公司高级副总裁、首席技术官兼董事长――Hans Stork。 作为一个坦率、务实、富有远见的企业领导者，Stork 在访谈中谈到了65纳米与45纳米规划、与中芯国际公司的合作、450毫米晶圆厂、新一代晶体管技术以及德州仪器是否应该走无工厂 (fabless) 的道路等问题。 中芯国际目前是德州仪器的130纳米芯片代工厂之一。不久前，传闻该公司曾正在与德州仪器合作研发90纳米工艺技术，后来中芯国际又否认了前面的说法，称自己正在自主研发 90 纳米处理工艺。对于此种传闻，Stork表示：“我们没有同中芯国际进行合作研发项目。人们已经看到了中芯国际过去几年里的成绩，他们发展速度很迅猛。” 面对另一个大家关心的问题即德州仪器会不会放弃晶圆厂走Fabless道路，Stork的评论是：“我们看到了同时兼具制造系统、电路和工艺研发能力的好处，因为较之过去，如今这些工作相互联系更为密切。此外，我们希望能控制自己的成本结构。如果我们全然依赖代工厂，就把控制权拱手相让了。我们与代工厂合作只是弥补自身制造能力的不足，但并不想把控制权交给对方。”虽然它不会放弃自己的晶圆厂，但德州仪器目前与很多晶圆代工厂都有合作关系，包括DongbuAnam、中芯国际、台积电及台联电等。 但是Stork指出，半导体工艺更新的速度应该减速，他说：“我们像所有业内的领先制造商一样，尽可能紧跟摩尔定律“两年”原则。但与此同时，我们看到周期正在拖长。人们现在还在使用130纳米技术，从设计角度而言，几乎没有使用 90 纳米技术的需要。” 他解释说：“这是个难题，这里出现了一些矛盾。研制新一代产品所需的预先投资不断增加。因此除非你业务做的很大，否则投资产生回报需要很长时间。同时，陈旧技术持续使用的时间会比以前长一些。这意味着你仍然要用旧技术收回投资。所有这些因素都要求技术更新的速度减缓，但没有人放慢速度。”他说，“一些人确实渴望新一代技术，因为这能令他们花同样的钱，办更多的事。在这些产品上，我们看到有一种明显的推动力促使人们遵循“两年”原则。而在其他大多数领域，更新的速度正在放慢。” Stork：半导体工艺更新速度应该减速。 德州仪器预计在 2005 年初成功开发出65 纳米工艺的第一批样品。“因此我们有一年左右的时间为批量生产做准备。对新一代CMOS工艺的需求主要来自于手机数字基带处理器。”他说。在65纳米工艺上，德州仪器采用的材料基本与90纳米晶圆相同。用的是低-K材料，但采用的是双大马士革工艺而非单大马士革。与90纳米技术相比，还多了一层内联层。在晶体管方面，使用应变硅技术和硅化镍。“90及65纳米技术都是低K的。K值在2.9到2.8之间。我们采用的是 Novellus 公司的工艺。"他解释说，德州仪器正在研究局部应变硅技术，这样一来，就能优化N通道和P通道晶体管。在90纳米晶圆上，他们使用对PMOS晶体管有帮助的旋转基板。在 65纳米，则将按照英特尔的方式尝试选择性硅锗技术。后者是英特尔在90纳米工艺上采用的技术。 对于45纳米产品的进展情况，他表示：“我们还没有最终确定方案。45纳米的开发仍然处于初期阶段。到目前为止我们比较确定的是哪些方法有效，哪些可能不太合适。随后我们必须付诸现实。这一般需要两到四年的时间。”他透露，最被看好的方案是高K金属栅极――但还没有确定，因为这些方案还不太可靠，还有很多问题需要解答。时间很紧张，如果再给我们四年时间，可能会有不同的方案。 最后，在谈到是否会建450 毫米晶圆工厂时，他指出：“我认为没有人会对450毫米晶圆感兴趣――除了国际半导体技术蓝图机构 (ITRS)的一些人。这么说吧：任何想赚钱的人都不会对450毫米感兴趣。” 对于大家感兴趣的碳纳米管问题，他表示：“碳纳米管也是一种违反自然法则的神奇之物。预期纳米管到2013年投入晶体管制造可能还算是乐观的论断。当然也不能说遥遥无期，因为可能明天就出现突破，令前景大为改观。”他说道，“如何制造碳纳米管是一大难题，其次是它们是否真的会提高晶体管性能。对逻辑应用来说，碳纳米管还很遥远。对潜在的存储应用来说，这也许会来得早一些。” 德州仪器正在研究以 FeRAM 存储器为基础的新一代存储技术。“对于目前一些新兴的存储器技术比如FeRAM、MRAM、OUM等，都是需要进一步证明的技术。其中FeRAM 存储器及其材料进展最大，如今已经出现相关的产品；MRAM 存储器的制造商也推出了部分构件，而OUM存储器仍然只存在于图纸上。”Stork说道。 作者：马立得