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比如说怎么把ISR放在内部的SRAM里

1、建议不要用malloc。

2、要看S3C44B0的手册，rNCACHBE0是一个特殊寄存器。

3、要想把ISR放在SRAM中，将linker设置中的link type设置为scattered。并且自己写scatter文件。找一个ARM高级编程的书（linker部分）看一看。类似这样：

LOAD_SDRAM 0x0c008000
{
SDRAM1 0x0c008000 0x100000
{
44BINIT.O (INIT +FIRST)
* (+RO)
}

SDRAM2 0x0c500000 0x80000
{
* (+RW,+ZI)
}

SRAM 0x10001000 0x1000
{
ISR.O (+RO)
}

}

谢谢，关于sram的放置，我有所理解了，跟freescale的mcu的道理是一样的，我详细再看看应该能弄懂。

而关于rNCACHBE0是在做DMA处理时防止装载一些错误的数据而设置的，我的理解应该指的是DMA的目的地址，但是代码的移位操作最后到底得到的是一个什么数呢？而且三星所有这部分相关的代码都是这样写的，看来这是一个通用的表达式，但是就是不知道什么意思？

CACHE与DMA是两回事，没有任何关系。

rNCACHBE0和rNCACHBE1是两个寄存器，可以定义两个非CACHE区域。该区域要求按4KB对齐，所以右移12位（因为低地址没有意义）。rNCACHBE0寄存器的高16位放区域的结束地址，低16位放开始地址。

dst=(unsigned int *)malloc(0x100);
rNCACHBE0= ((int)dst>>12) + ( (((int)dst>>12) +1)<<16 );

这两句代码是有问题的。dst指向的内存位置不确定（由malloc函数的实现决定），导致非cache区域的位置也不确定。并且非cache区域比dst指向的内存大，非cache区域的开始地址不等于dst。

为什么不建议使用malloc：

首先你应该看看malloc在44blib.C中是怎么实现的。据我所知它的实现太简单。malloc和free需要一个完善的内存管理算法。如果需要可以自己重写。

另外：在嵌入式系统中少用或不用malloc是一个设计原则。一是没有必要；另一个原因是嵌入系统一般内存较小、内存管理不完善、并且长时间运行的，过多的分配释放内存总会导致内存碎片过多，甚至分配失败。

即使确实需要使用malloc（例如使用某些GUI），也应该在应用初始化时分配，而不应该在系统运行中动态分配释放。

手工分配内存：

#define DMA_DST_ADDR (0X0C400000)

unsigned char *pAddr;

pAddr ＝ （unsigned char *）DMA_DST_ADDR;

好的，明白了，原来右移12位是这个意思，多谢阿