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问   写一段程序将一些数据写入16K的BANK1中（使用ADS环境加mutli-ice仿真器，使用英蓓特STR711评估板），在ram中调试正常，然后烧写到Flash中，通过Jtag调试也正常，但是如果脱离仿真器直接运行，程序运行就不稳定，现象是：如果上电可以正常运行，那么按reset可以复位，复位后运行也正常，如果上电不能正常运行，则reset也不能使程序运行正常。程序代码如下：

#include "LED.h"
#include "FlashHelper.h"

void Main(void)
{
    int i,j;
    u32 strWrite=0x400C0000;//Bank1基地址
    
    static const unsigned BinFile[]={
    0xE59FF018,0xE59FF018,0xE1A00000,0xE59FF018,0xE59FF018,
    0x40004584,0x400000C0,0x400000DC,0x400000F8,0x40000118,0x00000000,0x4000187C,0x40001914,
    0x40000138,0x40000150,0x40000168,0x40000180,0x40000198,0x400001B0,0x400001C8,0x400001E0,
    0x400001F8,0x40000210,0x40000228,0x40000240,0x40000258,0x40000270,0x40000288,0x400002A0,
    0x400002B8,0x400002D0,0x400002E8,0x40000300,0x40000318,0x40000330,0x00000000,0x00000000,
    0x00000000,0x40000348,0x40000360,0x00000000,0x00000000,0x40000378,0x40000390,0x400003A8,
};

#ifdef DEBUG
    debug();
#endif

    LED_Init();
    LED_Set(LED3,GPIO1,1);

    IntFlash_Program(strWrite, BinFile, sizeof(BinFile));


    for(i = sizeof(BinFile) / sizeof(unsigned) - 1; i >= 0; i--)
    {
        if(((u32 *)strWrite)[i] != BinFile[i])
            break;
        else
        {   /*进行校验,LED3闪烁*/
            LED_Set(LED3,GPIO1,1);
            for(j=0;j<100000;j++);
            LED_Set(LED3,GPIO1,0);
            for(j=0;j<100000;j++);
        }
    }
    if(i < 0)
    
    LED_Set(LED4,GPIO1,1);

    while(1);
}

这个不稳定现象百思不解，考虑到使用STR912的时候也出现过在Flash中不能执行程序的现象，是因为程序无法在flash中正确跳转到Reset_Handler的原因，因为912默认的bootbank size只有32k，因此不能跳转到32K以外的地址，所以使用了一个中间函数，先将bootbank size寄存器调大，在进行跳转，解决了这个问题。
如下
        B           Reset0
        LDR     PC, Undefined_Addr
        LDR     PC, SWI_Addr
        LDR     PC, Prefetch_Addr
        LDR     PC, Abort_Addr
        NOP                             ; Reserved vector
        LDR     PC, IRQ_Addr

Reset0
        LDR R6, =0x54000000
        LDR R7, =0x4
        STR R7, [R6]
        LDR     PC, Reset_Addr

这次在这个程序里面试验
发现进行如下的修改可以使程序在Flash中稳定地的运行
对跳转表进行修改：
       LDR     PC, Reset_Addr
;        LDR     PC, Undefined_Addr
        LDR     PC, TEST
        LDR     PC, SWI_Addr
        LDR     PC, Prefetch_Addr
        LDR     PC, Abort_Addr
        NOP           ; Reserved vector
        LDR     PC, IRQ_Addr
        LDR     PC, FIQ_Addr
TEST
          LDR        PC,Undefined_Addr


912的修改可以知道原因，但是STR7的修改就让人摸不着头脑了，进行上面的修改为什么可以提高稳定性？现特向ST板块的各位高人求教，跪求答案！ 答 1: “STR7 flash烧写问题”，问几个问题1）能把IntFlash_Program()的代码贴上来吗？
2）没有修改的Reset向量表是什么样的？你修改了什么？现在只看到改后的结果。
3）有没有启动PLL？ 答 2: 一些数据写入16K的BANK1中的问题#include "LED.h"
#include "FlashHelper.h"

void Main(void)
{
    int i,j;
    u32 strWrite=0x400C0000;//Bank1基地址
    
    static const unsigned BinFile[]={
    0xE59FF018,0xE59FF018,0xE1A00000,0xE59FF018,0xE59FF018,
    0x40004584,0x400000C0,0x400000DC,0x400000F8,0x40000118,0x00000000,0x4000187C,0x40001914,
    0x40000138,0x40000150,0x40000168,0x40000180,0x40000198,0x400001B0,0x400001C8,0x400001E0,
    0x400001F8,0x40000210,0x40000228,0x40000240,0x40000258,0x40000270,0x40000288,0x400002A0,
    0x400002B8,0x400002D0,0x400002E8,0x40000300,0x40000318,0x40000330,0x00000000,0x00000000,
    0x00000000,0x40000348,0x40000360,0x00000000,0x00000000,0x40000378,0x40000390,0x400003A8,
};

#ifdef DEBUG
    debug();
#endif

    LED_Init();
    LED_Set(LED3,GPIO1,1);

    IntFlash_Program(strWrite, BinFile, sizeof(BinFile));


    for(i = sizeof(BinFile) / sizeof(unsigned) - 1; i >= 0; i--)
    {
        if(((u32 *)strWrite)[i] != BinFile[i])
            break;
        else
        {   /*进行校验,LED3闪烁*/
            LED_Set(LED3,GPIO1,1);
            for(j=0;j<100000;j++);
            LED_Set(LED3,GPIO1,0);
            for(j=0;j<100000;j++);
        }
    }
    if(i < 0)
    
    LED_Set(LED4,GPIO1,1);

    while(1);
}

这段代码在RAM中运行肯定没有问题，但是在FLASH中运行就会出错，原因是：
在对STR71x的FLASH进行写或擦除操作时，第一次的操作必须在RAM里运行，所以你在STR71x里就会出现错误。
至于你所说的跳转，我不明白是什么意思，是将PC指针指向Bank1吗？请明示，谢谢！ 答 3: 回香水城1.flash编程
#include "FlashHelper.h"

/* address offset of each sector in internal flash memory */
static const struct flash_sector_info {
    u32 base, mask;
} FlashSectorInfo[] = {
    {0x000000, FLASH_B0F0},
    {0x002000, FLASH_B0F1},
    {0x004000, FLASH_B0F2},
    {0x006000, FLASH_B0F3},
    {0x008000, FLASH_B0F4},
    {0x010000, FLASH_B0F5},
    {0x020000, FLASH_B0F6},
    {0x030000, FLASH_B0F7},
    {0x040000, ~0},
    {0x0C0000, FLASH_B1F0},
    {0x0C2000, FLASH_B1F1},
    {0x0C4000, ~0},
    {~0, ~0},
};

void Flash_Init(void)
{
    FLASH_Init();
}

static void IntFlash_Wait(void)
{
    FLASH_Delay();
    while(FLASHR->CR0 & 0x16);
}

int IntFlash_Program(u32 addr, const void *buf, u32 size)
{
    const struct flash_sector_info *p;
    u32 tbase, tmask;
    u32 limit, mask;
    u8* cTemp;
    u32 tmpaddr=addr;    
    addr -= INT_FLASH_BASE;
    limit = addr + size;
    p = FlashSectorInfo;    
    while(addr >= p[1].base)
        p++;
    mask = (p->mask);
    while(limit > p[1].base)
        mask |= (++p)->mask;
    if(mask == ~0)
        return -1;
    
    IntFlash_Wait();
    FLASH_WritePrConfig(mask, DISABLE);
    IntFlash_Wait();
    FLASH_SectorErase(mask);
    IntFlash_Wait();
    FLASH_BlockWrite((u32)buf, tmpaddr, size + 3 >> 2);
    IntFlash_Wait();

    return 0;
}
调用的都是ST官方的最新库函数

原来的向量表是
       LDR     PC, Reset_Addr
       LDR     PC, Undefined_Addr
        LDR     PC, SWI_Addr
        LDR     PC, Prefetch_Addr
        LDR     PC, Abort_Addr
        NOP           ; Reserved vector
        LDR     PC, IRQ_Addr
        LDR     PC, FIQ_Addr

没有使用pll
答 4: 回 ST_ARM按照您说的原因，那么我每次在Flash中运行都应该出错了，但实现在程序可以很稳定的执行，而我仅仅是改了一下向量表。。。。。而且即使不改，程序也不是每次都出错。

需要的函数基本上都在上面了，大家可以试一下

跳转指的是在向量表里的跳转，bank1使用来放一些数据，不会把pc指向它的 答 5: 在对STR71x的FLASH进行写或擦除操作时，第一次的操作必须在RAM里运行, 这个在最新版本的str7 Flash编程手册有提及 答 6: 上面两位是对的，第一次FLASH的写或擦除操作必须在RAM里运行不是每次出错不表示正确，正确的做法是第一次FLASH的写或擦除操作必须在RAM里运行。

你改了向量表，可以看成是移动了程序的位置，你的程序可以运行也应该是偶然的，你可以试试再加几条指令移动一下，也许程序又不能正常工作了。

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