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问     我在一个系统中要做一个电平转换电路,要求是将TTL电平转换为特殊电平.具体是这样的:TTL为高的时候输出为+40V,TTL低电平的时候输出为+5V.转换后的电平上升时间小于40ns,数据传输速率约为10MHz.
    希望各位高手多多指教!欢迎提出建议或与我讨论.
    我觉得问题重点在高速,保持输入输出相位一致.
    QQ:117598034 答 1: 参数设计严重不合理10M下40V的电压摆动率将会成为很厉害的射频辐射源，这是短波发射机的电路。 答 2: 具体讲讲啊搬个板凳学习。。。 答 3: 谢谢感谢chunyang:参数是由委托商提供了,我没有权力改.而且这种器件需要这样设计参数.
    不知道你有没有其他的建议,非常感谢!
    希望大家可以多多指教! 答 4: chunyang说得很对这个要求可以实现，用小功率三极管，共集电极-共基极电路即可。但必须注意这是个相当强的干扰源。
可以参考示波器的Y轴放大器。
答 5: 谢谢好像不是这么容易的.我试过用N 沟道MOSFET驱动芯片的方法,但不行.这种原理和使用三极管应该类似.
能不能用线圈升压的办法?
各位有什么建议? 答 6: 线圈升压是最难做好的方法你这个转换电路对带宽要求比较高，而变压器(线圈)的通带要做宽很不容易。
还是用个简单放大器比较容易做。不必MOSFET，双极型三极管就可以。
再说一次，参考示波器的Y轴放大电路。
答 7: 真想学学,我新人啊,做出来了来价绍下经验啊 答 8: 我看小功率三极管足矣    不过要主意几点.
1. 三极管的工作点设置,不要进入太深的饱和和截止区,当然最好不要进入这2个区,因为那样开关速度将大受影响.
2. 40nS 的开关速度,要求三极管 fT 也是比较高的,选择截止频率高些的管子.
3. mosfet 的电场建立时间比较长, 好象不是适宜的选择. 答 9: 你好幸运，委托商有水平定参数还找你干活！小基 发表于 2006-1-9 21:38 技术交流 ←返回版面    

谢谢

感谢chunyang:参数是由委托商提供了,我没有权力改.而且这种器件需要这样设计参数.
    不知道你有没有其他的建议,非常感谢!
    希望大家可以多多指教!


答 10: 可以参考一下CRT显示器视放IC 200MHz带宽，还有10nS的上升下降器件很多，不够电路要屏蔽，不然EMI就完了 答 11: 感谢大家   现在我想用集成的比较器去驱动晶体管.不知道方案的可行性如何.
   另外,谢谢lydyf.你的建议非常有价值.其实我对EMI和EMC问题也非常感兴趣.但不知从何处入手.希望你可以多多指教.
   
    答 12: 用PMOS+NMOS对管,超声发射电路就是这么做的.可上到40M 答 13: 你可以使用高压逻辑器件，比如OC开路的高压门  参考型号：ULN2803 答 14: 用高频功率放大电路可以轻松实现    前面已经说过，这简直是短波电台了，那么即如此，按短波电台的方法做就是，只是不考虑天线匹配部分，直接输出即可，但一定注意传输线的屏蔽，否则……
    总之，提这种要求的人是完全在扯淡！ 答 15: 转成lvds信号，10m小意思了！转成lvds信号，10m小意思了！ 答 16: 10M信号自然是小意思但40V的电压摆率以及40nS的沿宽度就不是小意思了。