这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 基础知识 » SCR,CMOS 寄生SCR效应(CMOS锁定效应)的原理????

共2条 1/1 1 跳转至

SCR,CMOS 寄生SCR效应(CMOS锁定效应)的原理????

院士
2006-09-17 18:14:16     打赏
SCR,CMOS 寄生SCR效应(CMOS锁定效应)的原理????



关键词: 寄生     效应     锁定     原理    

院士
2006-12-22 22:43:00     打赏
2楼
问 寄生SCR效应一般称为锁定效应,这是CMOS电路的特殊现象,是在使用是工作电压,电流超过最大极限是所发生的。一旦进入锁定状态,将使电路失效遭受严重损坏。
请教大侠们:锁定效应是怎样产生的呢??(原理,过程)从微观,和宏观方面讲!!谢谢! 1: 这是由于老工艺采用PN结隔离造成的,新工艺采用介质隔离,已经没有这个问题了 2: 长话短说闩锁的问题恐怕不是一两句话能说清楚的。简单来说,是由于CMOS集成电路中存在寄生的PNPN结构造成的。(以N阱工艺为例,由PSD-NWELL-PSUB-NSD形成了寄生的PNP管和寄生NPN管组成的PNPN结构)。
有一本专门讨论闩锁问题的书,不太厚,可以看看。 3: 基本概念如图所示.
可以看到,如果流过PNP管的电流大,
则NPN的Vbe变大,反过来一样.
这样是个电流正反馈电路了.
所以流过寄生管的电流会越来越的,
从而烧坏器件.
改善的方法是降低寄生管的放大倍数.
降低寄生电阻的数值.
有多种工艺方法来防止latchup 4: 谢谢

共2条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]