问 39VF160接到CS0，CFG0，PINSEL2也配置好了，但对39VF160的操作时发现两个问题。
1、ARM的A1连到了39VF160的A0上，那往0x5555写命令的时候是该往(0x8000000+0x5555)的地址上写呢，还是往(0x8000000+0x5555<<1)的地址上写，实验发现前面的写法是对的，但是有点想不明白。
2、方式1：
   volatile uint16 *p1,*pa1,*pa2;
   p1=(volatile uint16 *)0x80000000;
   pa1=(volatile uint16 *)0x80005555;
   pa2=(volatile uint16 *)0x80002AAA;
   *pa1=0xaa;
   *pa2=0x55;
   *pa1=0x80;
   *pa1=0xaa;
   *pa2=0x55;
   *p1=0x30;
   do{temp=(*p1)&0x40;  }while(temp!=((*p1)&0x40));  //等待擦除完毕
   方式2：
   volatile uint16 *p1,*pa1,*pa2;
   p1=(volatile uint16 *)0x80000000;
   *(p1+0x5555)=0xaa;
   *(p1+0x2AAA)=0x55;
   *(p1+0x5555)=0x80;
   *(p1+0x5555)=0xaa;
   *(p1+0x2AAA)=0x55;
   *(p1)=0x30;
   do{temp=(*p1)&0x40;  }while(temp!=((*p1)&0x40));  
两种方式应该没有什么区别，但是方式2行的通，方式1就是不行，还请高手解释下。 答 1: 还请问外部地址编码的问题。地址怎么对应到A23。。A1的，比如我用的16位总线，0x80000000是第一个字（两字节的起始地址），那第二个字的起始地址是0x80000001还是0x80000002呢？ 答 2: 自己做了个FLASH烧写的程序，程序已经可以在外部FLASH里执行了。通过LPC2214工程模板，修改了分散加载文件，生成plain binary的二进制文件，通过内部FLASH的程序烧写到外部的39vf160中去，已经可以成功运行，但却有一个问题不太明白。
0x8000000,0x80000001分别对应外部FLASH的第一个字和第二个字，也就是说2214出的地址的最低位对应的是2214的A1，因为程序里就是按这样操作的，最后能运行说明是对的，但是周公的书上读写FLASH的时候地址总会左移一位不知道究竟哪种做法是对的？