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寻问高精密稳压电路的实现方法
问
打开美信的datasheet 看到他们做的LDO
电压稳定度达到0.1%
温漂可做到10PPM
静态功耗可以做到3个uA
真牛。
他们是怎样做到的呢?
温度漂移可以用对称的PN结等做温度补偿,但电压稳定度单纯靠P/N结加恒流能行吗?并且功耗做到了几个uA级。
那位能给个实现的思路吗?
谢谢 答 1: 我来告诉你我在美信工作了四年(设计),知道他们是怎么做的:
1)工艺:有纵向PNP的BiCMOS+极低温度系数的高阻金属膜电阻
2)设计:有温度curvature补偿的BiCMOS Bandgap参考电源,3uA并不难做到,我曾做过1.5uA的LDO。
3)设计支持:非常好的model和很多种选择
4)基于统计学原理,对足量样品进行实验室验证和可靠性分析
4)圆片测试:激光修调,可以容易达到0.1%的精度
5) 封装后测试:封装后修调以纠正封装造成的失调。另外有可能加高低温测试。
由此可见,高性能的模拟芯片是半导体综合技术的全面体现,包括有效率的项目流程管理,并不是几个“设计牛人”可以搞定的。无论在软件和硬件上说,国内目前没有可能做出类似的商业化产品。就像国产的运十飞机无法上马一样,当愤青骂人是没用的。如果大家都把自己的专业精益求精,戒浮躁,会逐步赶上的。没有什么可神秘的,也没有绝招可使。
另外,楼上说的几项指标虽然很厉害,但不是LDO中最被看重的指标,更好像是电压基准源的指标。LDO的指标更被看重的是PSRR,噪声,输入输出压差,及动态稳定性。电压精确度没必要做到0.1%,温飘也没必要到10ppm。
但不排除美信钻某几个性能的牛角尖来“作秀”,其广告意义大于实用。
答 2: 噪声我觉得放在第一位输入和输出的压差问题,因为每家公司有自己的标准,最关键的是噪声,怎么做到低噪声,才是最关键的。
特别是手机上的电源,以及PLL里VCO的电源。都需要低噪声。 答 3: goodsupport!!!!!!!!!!111 答 4: Hello, JackiChen你好:
我很想结识你这位朋友! 有空大家交流交流?
我的电话是: 13044182606
我的电子邮箱:jefftan@sohu.com
我也是做技术的.水比较浅.;-)
答 5: Jackichen 分析的不错啊。 顶一下顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 答 6: Jackichen 分析的不错啊。 顶一下顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 答 7: 可以给我发e-mailjack.ic@hotmail.com,欢迎讨论。
电压稳定度达到0.1%
温漂可做到10PPM
静态功耗可以做到3个uA
真牛。
他们是怎样做到的呢?
温度漂移可以用对称的PN结等做温度补偿,但电压稳定度单纯靠P/N结加恒流能行吗?并且功耗做到了几个uA级。
那位能给个实现的思路吗?
谢谢 答 1: 我来告诉你我在美信工作了四年(设计),知道他们是怎么做的:
1)工艺:有纵向PNP的BiCMOS+极低温度系数的高阻金属膜电阻
2)设计:有温度curvature补偿的BiCMOS Bandgap参考电源,3uA并不难做到,我曾做过1.5uA的LDO。
3)设计支持:非常好的model和很多种选择
4)基于统计学原理,对足量样品进行实验室验证和可靠性分析
4)圆片测试:激光修调,可以容易达到0.1%的精度
5) 封装后测试:封装后修调以纠正封装造成的失调。另外有可能加高低温测试。
由此可见,高性能的模拟芯片是半导体综合技术的全面体现,包括有效率的项目流程管理,并不是几个“设计牛人”可以搞定的。无论在软件和硬件上说,国内目前没有可能做出类似的商业化产品。就像国产的运十飞机无法上马一样,当愤青骂人是没用的。如果大家都把自己的专业精益求精,戒浮躁,会逐步赶上的。没有什么可神秘的,也没有绝招可使。
另外,楼上说的几项指标虽然很厉害,但不是LDO中最被看重的指标,更好像是电压基准源的指标。LDO的指标更被看重的是PSRR,噪声,输入输出压差,及动态稳定性。电压精确度没必要做到0.1%,温飘也没必要到10ppm。
但不排除美信钻某几个性能的牛角尖来“作秀”,其广告意义大于实用。
答 2: 噪声我觉得放在第一位输入和输出的压差问题,因为每家公司有自己的标准,最关键的是噪声,怎么做到低噪声,才是最关键的。
特别是手机上的电源,以及PLL里VCO的电源。都需要低噪声。 答 3: goodsupport!!!!!!!!!!111 答 4: Hello, JackiChen你好:
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我也是做技术的.水比较浅.;-)
答 5: Jackichen 分析的不错啊。 顶一下顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 答 6: Jackichen 分析的不错啊。 顶一下顺便再来讲讲经,我们也做回雷音寺的老鼠 答 7: 可以给我发e-mailjack.ic@hotmail.com,欢迎讨论。
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