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问 前段时间在smic  .18工艺上做了一个bandgap电路,用的是3.3V的管子，采用ptat加放大器结构,放大器采用折叠共源共栅结构，电流源用cascode，电阻用Ｎ阱电阻（主要考虑面积比较小）ＰＮＰ管比例为1:8,所有的需要match的管子都做了比较好的match.仿真结果：１．２６，所得到的五个样品测试结果分别为1.1V ,1.1V,1.18V,1.28V,1.42V,离散性很大，与电源电压关系不大，大家帮我分析分析哪个地方出了问题？我实在想不到为什么差别这么大． 答 1: 用N-well电阻就是你的不对了跑跑monte carol看看。 答 2: op offset有计算过op的offset吗？再把op的offset带到整个电路算算看，这么大的偏差应该不止是n-well电阻引起的。 答 3: 计算OP的offset?只是用仿真看了一下offset,几十微伏的量级,应该不会产生这么大的影响吧?
谢谢楼上两位. 答 4: 自已顶 答 5: OP的offset你算错了 

只是用仿真看了一下offset,几十微伏的量级,应该不会产生这么大的影响吧?

看来你是完全低估了process offset了，不可能是几十微伏的量级。一般op不在意的作作，至少有几个mV，再被你的bandgap放大个十倍八倍的，就几十mV出去了，输出就忽上忽下了。
建议你把Razavi讲bandgap那部分看全了，还有有一章讲mismatch的，估算一下你的晶体管的失配，再估算出op的失调，应该能找出原因。这里没法展开了。
答 6: 谢谢楼上,我再考虑考虑 答 7: 楼主问题还没解决啊我估计是阱电阻的问题。晚上我谈谈我的看法。 答 8: 我整整研究过一年的bandgap我整整研究过一年的bandgap,可以说相当熟悉了。这个测试的结果非常的正常。最主要的原因就是运算放大器的offset造成的。所以通常bandgap需要做trimming 的。 答 9: 呵呵，不是运放的offset从原则上来讲，该误差应该来自于bandgap关键元件的不匹配性。运放本身的offset因为电路负反馈的存在是不会被放大多少的。 答 10: to premp: how to trim?premp:
  你所说的trimming是哪种方式，是offset 自调零等电路技术，还是激光修正等物理手段？其带来的问题有什么？可否具体回答，我们以后可以尝试。 答 11: 顶一下 答 12: 电阻变化    op的offset 可以仿真的，你可以让两个输入管子尺寸不一样，使两端有offset,可以看见对bandgap的影响，应该没有那么大的，这么大主要是电阻，n-well电阻变化可能有上下50%（具体看工艺厂商），还有pnp也有变化，当电阻和pnp变化方向相反时误差最大。pnp(ff) resistor(ss)...... 答 13: 没必要用激光修调，可以考虑其它的修调方法。  如果你想把BGR初始精度做到好，可以用zener zap方式修调（XFAB推荐）或OTP方式修调（charted推荐）。当然可以在post—simulation时做一下MC的仿真，这个应该比较有用，我在XFAB流片的经验是MC的仿真结果还是很接近测试的结果的，但前提是你的MC仿真库是fab提供和你的layout要有一定水平，呵呵。 答 14: Re会不会是Vbe的原因呢，因为我们仿真的时候都是Vbe在25C为某个确定的值，而事实上并不是如此。 答 15: 回复还没有找到原因:厂家的PCM显示,电阻的变化只有2%左右.
现在问题主要集中上失调上来,我的VBG输出大概是1.1-1.4,有300MV的偏差,考虑到R3/R2之比为10左右,也就是说放大器的电压失调有30MV左右. 答 16: 放大器的输入对管和电流镜负载他们的管子的W*L都是多大？ 答 17: 阱电阻model中有电压系数没？？  如果没有，那就是它了。
  有的话，那就多使用monte carol 答 18: 个人看法如果我没有理解错的话，bandgap里面的电阻，主要是起到比例关系的，绝对数值的偏差不会太重要，相对偏差不要太大就可以了。

OP的失调是一个问题，一般作的比较好的OP，mV数量级别的offset还是有的，你看一下你的电路，如果偏差1mV，输出变化多少？

呵呵，做电路就是这样，思考，实践，再思考

如果能看到电路图和版图，那是最好分析的，呵呵