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问 有一需要烧fuse修正Vref的电路,5段fuse的修正有正有负,修正的目标值为1.25V,在wafer测试的时候烧的都蛮好的(1.24V<Vref<1.26V),但封装之后Vref会变的比较发散(相对CP时候的1.24~1.26V),但正态分布中心值还是1.25V,将Vref偏离1.25V很多(例如Vref=1.15V或者Vref=1.31V)的电路decap之后再去测Vref会变到1.24~1.26V之内.现在怀疑可能是封装引起fuse属性改变的原因,但由于以前从没碰到过类似问题,只碰到过封装导致Vref整体偏移的问题,所以请教各位达人谁曾经遇到过类似的问题或者有什么好的建议去找到真正的原因,以上表达有点罗嗦,见笑,还望不吝赐教,谢谢!
答 1: 有类似问题发现过类似问题，帮LZ顶下。
召唤达人解惑。 答 2: 真是头晕现在正在做decap之后究竟是不是封装导致fuse重新连接引起的验证.即decap之后看哪几段fuse wafer测试的时候是烧了的,然后根据烧的fuse查找trimming之前Vref在哪个范围段内,然后对比decap之前的Vref,看是不是影响个别fuse引起的. 答 3: 可能是熔丝回熔了可以在CP测试时把TRIM的电流放大些！ 答 4: 请问楼上的关键是如果把TRIM的电流放的过大的话,探针相对损耗的快的多(目前还没有做过实验,加大Trim的电流有没有效果);另外这和封装材料或者硬力有关吗?目前发现ATE:DIP的良率<SOP的良率<TSSOP的良率,这能说明什么呢? 答 5: 可能封装问题除了回熔，还可能是封装引起漂移。