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问 编一个延时程序,要求和晶振频率无关
比如,300ms的延时,在12MHz的晶振下是300ms,在6MHz的晶振下仍然是300ms延时
这样的程序能编吗? 答 1: 用外部的时钟信号或者想办法知道自己的频率 答 2: 哦……？有趣，思考中…… 答 3: 外部信号是个方法可脱离了晶振又和外部信号挂上了,没有独立延时,有更好的方法吗 答 4: 有一个简便的大概测量自身频率的办法当然，这是和很多因素关联的，而且测量很不准确，方法如下：

在MCU的I/O中，用一只口线直接接上一个电容，然后用计算或者实际的实验数据测量得到在一个参考频率下的电容充放电时间（在MCU中表现为机器周期的计数次数），在实际使用中校正时，执行同样的充放电并计时，得到的计时次数与参考频率下的时间值比较计算就可以得到大概的振荡频率，如果结合常用的晶体频率，把计算得到的频率与常用频率比较并选择一个最靠近的常用频率作为系统的实际振荡频率即可。

NOTO：
1：电容温度漂移比较大，应当选用温度漂移比较小的CPP电容为好。
2：电容中可以串接一个10K电阻，这样可以适当拉长充放电时间，这样可以提高一点测量精度。
3：各种计时都有一定的误差，这也将对计算值产生影响。
4：电容容值的一致性非常差，批量生产的话，需要单台校准，怕是一般厂家都不会乐意。可采用如下办法减小工作量：一般系统都会有EEPROM，把参考值作为一项参数保存到EEPROM，这项参数并且是可调整的，下面怎么搞就不要我说了把。
5：如何不打算采用上面的办法，好象还有一个办法，那就是采用具有双时钟的MCU，固定一个OSC为标准，并以此作为基准根据充放电时间计算频率。
6：如果上面的办法还不满意，那么还有一个大胆的想法可以想象一下：那就是利用WDT的溢出时间，很多MCU的OSC都是独立的，那么这也可以作为一个基准，具体怎么搞呢，需要大家都来想了——因为，我也没仔细想呢，也不知道行不行：）

------如果不能实现，那就对不起了，因为我以前也只是想过，并没有在实际中使用，到底是利是弊，我也不得而知。 答 5: 也可以考虑通过串口来做简单的频率