分享一下看到的这段讨论，反正对我挺有启发的：
看一本书这样计算mos的上升时间的，如图，那个输入电容是一直变化的，他这样求不知道误差大不大啊。。。有试验过的么？？？
共2条
1/1 1 跳转至页
关于MOS管上升时间的深度探讨
-
逼得我要勤快点贴出来答案啊，呵呵～ 关于MOS管上升时间的深度探讨
条件是RL >> RG嘛，Id足够小 的话Cgd的miller effect可以忽略，这样就可以只算Ciss了。不过满足RL >> RG的情况实际中应该很少，MOSFET都是大电流开关应用为主。
其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷。
共2条
1/1 1 跳转至页
回复
| 有奖活动 | |
|---|---|
| “我踩过的那些坑”主题活动——第002期 | |
| 【EEPW电子工程师创研计划】技术变现通道已开启~ | |
| 发原创文章 【每月瓜分千元赏金 凭实力攒钱买好礼~】 | |
| 【EEPW在线】E起听工程师的声音！ | |
| 高校联络员开始招募啦！有惊喜！！ | |
| 【工程师专属福利】每天30秒，积分轻松拿！EEPW宠粉打卡计划启动！ | |
| 送您一块开发板，2025年“我要开发板活动”又开始了！ | |
| 打赏了！打赏了！打赏了！ | |
我要赚赏金
STM32
MCU
通讯及无线技术
物联网技术
电子DIY
板卡试用
基础知识
软件与操作系统
我爱生活
小e食堂
