OpenVINOTM,给你看得见的未来!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 嵌入式开发 » MCU » 关于MOS管上升时间的深度探讨

共7条 1/1 1 跳转至

关于MOS管上升时间的深度探讨

菜鸟
2013-09-24 10:55:34    评分

分享一下看到的这段讨论,反正对我挺有启发的:


看一本书这样计算mos的上升时间的,如图,那个输入电容是一直变化的,他这样求不知道误差大不大啊。。。有试验过的么???

112315g272bgz2ogw26gfo.jpg.thumb.jpg

 

1123128tar491v48ymt6yv.jpg.thumb.jpg

问题答复见:http://ezchina.analog.com/thread/6676



关键词: MOS管 上升时间    

高工
2013-09-24 10:58:59    评分
2楼
讨论的越来越专业化了,看看答案解析

高工
2013-09-24 11:00:03    评分
3楼
看错了,楼主最后挂的是连接啊,我还以为回复可见呢,唉。。。

菜鸟
2013-09-24 11:05:37    评分
4楼

  • 逼得我要勤快点贴出来答案啊,呵呵~  关于MOS管上升时间的深度探讨 

    条件是RL >> RG嘛,Id足够小 的话Cgd的miller effect可以忽略,这样就可以只算Ciss了。不过满足RL >> RG的情况实际中应该很少,MOSFET都是大电流开关应用为主。

    其实大多数MOSFET手册都有给出Qg,按Qg算方便快捷。

     


菜鸟
2013-09-24 11:46:39    评分
5楼

 


高工
2013-09-25 07:17:53    评分
6楼

其实大多数MOSFET手册都有给出Qg,按Qg算方便快捷?


怎么算?

 


高工
2013-09-26 17:46:57    评分
7楼
宏观的电路模型计算出来的,不知道要不要考虑微观材料模型造成的延时呢?譬如载流子渡越时间之类的。

共7条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]