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东芝近日宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16种系列。新产品包括16Gb、32Gb 和64Gb三种，结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片，这是市场上最高密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开始逐步进入市场。SLC芯片读写 次数多，且读写速度快，可靠性高。东芝开发新型SLC产品是为了满足不断变化的市场应用需求，改进型产品系列可以满足需要高读写速度与可靠性的移动电话、 平板电视、办公自动化设备和服务器等的需求。

      近年来，东芝公司通过加速用于记忆卡和MP3播放器等市场的大容量数据存储的高密度多层存储单元（MLC）芯片的开发，推动了NAND闪存市场的发展。采 用56nm和70nm制程技术的SLC芯片生产受到限制。东芝将通过采用更大范围的适合高水平数据存储的SLC闪存系列，不断扩大其满足不同嵌入式应用需 求的高增值产品，通过先进制程技术的应用，推进量产。

型号 容量 封装 页面尺寸 量产时间

TH58NVG6S2EBA20	64Gb	BGA	大块	2009年第1季度
TH58NVG5S2EBA20	32Gb	BGA	2009年第1季度
TC58NVG4S2EBA00	16Gb	BGA	2009年第1季度
TC58NVG3S2ETA00	8Gb	TSOP I	2009年第2季度
TC58NVG2S3ETA00	4Gb	TSOP I	2009年第2季度
TC58NVG2S3EBAJX	BGA	2009年第2季度
TC58NVG1S3ETA00	2Gb	TSOP I	2009年第1季度
TC58NVG1S3EBAJX	BGA	2009年第2季度
TC58NVG0S3ETA00	1Gb	TSOP I	大块	2009年第2季度
TC58NVG0S3EBAJ5	BGA
TC58DVG02A5TA00	TSOP I	小块	2009年第3季度
TC58DVG02A5BAJ5	BGA
TC58NVM9S3ETA00	512Mb	TSOP I	大块	2009年第2季度
TC58NVM9S3EBAJW	BGA
TC58DVM92A5TA00	TSOP I	小块	2009年第3季度
TC58DVM92A5BAJW	BGA

新产品主要特征

1.运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术，将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。
2.与MCL NAND闪存相比，新产品的写入速度约为2.5倍*。
* 16Gb的MLC和SLC产品比较
注：8位=1字节
<16GB产品>

产品型号	TC58NVG4S2EBA00
容量	16Gb
电源电压	3.3V
程序时间	400微秒/页（Typ.）
删除时间	4毫秒/块（Typ.）
连接时间	40微秒（1st） 25纳秒（串行）
外形尺寸	14mm x 18mm