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特点
●引用Serial   ATA   Revision   2.6   Specification。支持 SATA   Gen.1 1.5Gbps），Gen. 2 （3.0Gbps）。实现了Read 170MByte/sec，Write 70MByte/sec。
●支持2Kbyte/page ，4KByte/page  和最新8KByte/page  结构的 （MLC NAND的）。
  NAND型闪存。SLC可控制128MByte至64GByte ，MLC则可控制256MByte至128GByte。 支持主要闪存销售商提供的60nm～20nm工艺闪存。
●装备了TDK独有的静态负载平衡功能。因可计算整个内存区域（区 块）的重写（擦除）次数，并均等地置换区块，能够大幅度延长
 存储寿命。还可自由设置静态负载平衡的控制范围。
●搭载有数据随机生成功能。写入数据时，写入数据随机化，消除
 数据模式的偏斜，从而提高了MLC闪存数据的可靠性。
●搭载有读取恢复功能。定期读取闪存中的数据，检测Bit错误，根
 据需要进行纠错，防止因阅读干扰错误，数据保存错误所致的数
 据消失。因在后台进行处理，即使在纠错过程中，也几乎不会产
 生命令响应迟缓。
●装备了8bit ，15bit/sector  （512Byte）及30bit ，44bit  （1024Byte）
  的纠错能力（通过识别所使用的闪存，自动选择纠错数或纠错）。
●采取TDK独有的闪存控制系统，是提高了系统电源遮断性的设计，
  可完全阻止连带数据错误。
●由于可以取得所有内存区块的重写（擦除）次数作为SMART信息，
  因此可进行量化的寿命评估。
●装配有数据区域扇区总数设置功能。分配给数据领域的物理块数
  量可按1扇区为单元进行增减。因CHS参数也可任意设置，所以系
 统导入简单易行。
●搭载有AES128bit加密功能。 因可将数据加密后进行记录，所以可以防止个人信息和机密信息
  的篡改，泄漏，实现了高度的数据安全性。
●支持引用了ATA标准的保护功能。除TDK独有的写保护/读保护功
  能外，客户还可自行设置或解除密码。
●RoHS指令对应。从构成部品零件材料，引导端子等到EU（欧盟）
  RoHS指令所禁止使用的有害物质，被完全排除在外。
●RoHS 指令的对应：表示除了依据EU Directive 2002/95/EC 免除的用途之外，未使用铅，镉，汞，六价铬及特定溴系难燃剂PBB，PBDE 等。

cw_018_rs3.pdf