边带抑制不理想的原因
图2显示典型直接转换发射信号链的示意图。鉴于发射机的对称性,图2仅显示I通道。
潜在不匹配在图中予以标注。本应用笔记假设数字域内的IQ信号完全匹配。需要讨论的不匹配本质上仅存在于信号链的模拟部分内。
表1列出了可能引起IQ不匹配的区域。下列章节阐述了这些潜在不匹配及其潜在影响。
DAC输出增益误差
DAC增益误差指实际输出范围与理想输出范围的差异。图3显示AD9122中DAC满量程输出电流控制的简化框图。该控制路径由一个电压基准、一个10 k外部满量程调整电阻、一个基准控制放大器和一个电流调整阵列组成。满量程调整电阻和电压基准以及基准控制放大器共同设置DAC的内部偏置电流。
该偏置电流在电流调整阵列内进行镜像和倍增,以设置DAC的满量程电流。
因此,可根据公式1计算理想的DAC满量程输出电流。
VREF为基准电压。RSET为满足量程调整电阻。DACGAIN为电流调整阵列内的数字控制码。如果实际满量程输出电流偏离此理想值,就会产生增益误差。
AD9122数据手册规定该增益误差为满量程的±3.6%,属于最坏情况的增益误差,包括工艺、电压和温度等各种变化。实际上,在同一个器件上I DAC和Q DAC之间的增益误差要小得多。相同器件上的I DAC和Q DAC共用相同的偏置电流电路、满量程调整电阻和基准控制放大器。这些模块中由电压和温度漂移引入的误差在I DAC和Q DAC上彼此追踪。电流调整模块中唯一的不匹配源自晶圆制造工艺中的晶体管几何形状变化。根据本文的分析结果和数据手册规格,可构建一个公式来估计相同器件内的IQ DAC增益误差。
如果指定
IMAIN为主DAC线性度所引起的输出电流误差。
IGAIN为增益DAC线性度所引起的输出电流误差。
则IQ DAC增益误差可表示为:
代入AD9122数据手册中的数据得出:
IQ DAC的实际增益误差可能因器件规格而异,但上述计算结果表明,相同器件的IQ增益误差一般比DAC数据手册中指定的增益误差小得多(在此情况下小一个数量级)。本应用笔记在分析中使用上述计算结果。
DAC输出相位误差
DAC输出相位误差是将相同输入信号馈入到I DAC和Q DAC时两个DAC之间的偏差。该偏差来自内部时钟路径的不匹配以及DAC内核的不匹配。同样,这些不匹配大部分源于晶圆制造工艺。偏差因晶圆批次和器件而异。数据手册通常不说明此规格。在AD9122上进行的测量表明,偏差值一般在20 ps内。对于150 MHz的IF输出,压摆所引起的IQ相位误差小于1°。
IQ调制器基带增益误差和相位误差
IQ调制器中的基带增益误差和相位误差由基带输入电路中的不匹配造成,主要源自晶圆制造差异。参考ADL5372数据手册,1.9 GHz下的增益误差一般为0.09 dB (1%),相同LO频率下的相位误差为0.21°。
IQ调制器LO增益误差和相位误差
LO增益误差和相位误差指IQ调制器内同相和正交LO信号间的不匹配。如图4所示,LO输入由正交分相器分成两个正交信号LOI和LOQ。每个正交LO信号接着通过限幅放大器,后者向混频器提供限幅驱动信号。
下列分析显示LO信号的增益和相位误差如何影响边带抑制性能。
如果基带IQ信号(Ibb、Qbb))和LO IQ信号(ILO、QLO)表示如下:
其中:
Gbb和Qbb为基带信号中的幅度和相位不平衡。
GLO和QLO为LO信号中的幅度和相位不平衡。
IQ调制器输出端的RF信号可表示为:
应用三角恒等式,干扰边带信号为:
此公式表明,LO信号内的增益和相位误差对边带抑制的影响和基带信号内的增益和相位误差相同。假定基带信号是理想的,且无用边带镜像功率完全源自于LO信号内的不平衡,
则镜像功率水平可使用下列边带抑制公式来计算:
因而,LO增益和相位误差是IQ调制器的关键优点。出色的IQ调制器具有LO增益和相位误差低的优点,因此它们不会影响系统边带抑制性能。但在系统设计中,必须重视输入LO信号的质量以实现最佳边带抑制性能。即使IO调制器设计良好,不需要的LO信号仍可能让LO相位误差崩溃。LO信号的两大关键特性-谐波水平和占空比-对边带抑制有重大影响。正交分相器拓扑决定IQ调制器所需的LO信号。
有两种分相器设计在IQ调制器设计中广泛使用:多相分相器和2XLO分相器。