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传统上，高速信号采集和处理要求在示波器前端进行一系列连接和切换。信号从被测器件(DUT)输送到示波器，通过同轴电缆传送到PCB，经过球栅阵列(BGA)封装，然后到达第一个集成电路(IC)，进行模拟放大或衰减。然后信号输出封装，输送到PCB上，然后发送到包含跟踪和保持(T/H)集成电路的下一个封装。只有在经过这一大串连接之后，信号才准备进行采样、模数转换和存储。遗憾的是，这一系列连接和切换及之后多次反复会在采样前劣化信号，进而损害示波器带宽和信号保真度。

为克服这些问题，泰克在DPO/DSA70000D系列示波器采用定制设计、高度集成的前端多芯片模块(MCM)。MCM把多种前端采集和处理组件，包括同轴电缆输入连接器、前置放大器、跟踪和保持芯片及端接电阻，合并到一个封装中，因此在高速信号被采样前永远不会接触PCB。

DPO/DSA70000D系列的定制前端MCM封装把以前分散的大量组件集成在一起，包括：

n         两块前置放大器芯片；

n         一块8路跟踪和保持(T/H)芯片，带模拟滤波器；

n         50欧姆端接电阻；

n         高性能100 GHz带宽连接器；

n         到PCB的弹性接口。

由于它是一种自含式模块，MCM减少了信号流经的连接数量及可能的错误来源数量。用户不会再经过单芯片封装和PCB层而发生多个信号跳变，那样会在采样前劣化信号保真度和示波器带宽。通过使用高性能电缆，高速信号从示波器输入直接传送到MCM及内部的集成电路中。只有在被T/H芯片捕获后，信号才接触PCB，从而提供了100 GS/s采样率及行业领先的噪声性能。

MCM上的集成电路采用IBM的8HP硅锗(SiGe) BiCMOS专业铸造技术铸造。由于在速度、精度和高集成度之间实现了完美均衡，SiGe技术在多条通道中支持杰出的性能，同时最大限度地缩小了老式芯片组中的噪声。IBM的8HP技术是一种130纳米(nm) SiGe双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺，其性能是上一代工艺的两倍。SiGe技术利用拥有50年历史的硅行业中相关的高度可靠、成熟的铸造工艺，而其性能水平相当于特殊材料的性能，如磷化铟(InP) 和砷化镓(GaAs)。与替代材料不同，SiGe BiCMOS可以接入与标准CMOS相同的晶粒上的高速双极晶体管，实现了一种既有优异性能、又有大规模集成能力的电路。