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耗散功率 power dissipation
结到封装温度  junction-to-case temperature
结到外界温度  junction-to-ambient

关于耗散功率Pd   
Pd的定义通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja 其中 Tj(max) 表示的结最高的温度，资料有标明，一般为 150°C，Ta 表示环境温度（ambient

temperature），Rja 表示结到外界的热电阻，散热器越大，热阻越小，否则越大。它表征着芯片内部的散热能力.而I^2*Rdson是发热,

显然 Pd >= I^2*Rdson,否则IC烧毁。这是最基本的原则。

例如仙童的 FDS6680 ，Tj(max) = 150，在 Ta = 25度环境温度下，当外部的散热器达到 1 inch^2 的时候热阻 Rja 为 50°/W，所以

这个时候的 Pd 为（150-25）/50 = 2.5 W ，也就是说，在外部温度25度的情况下，最大允许提供 2.5W 的功率。一般的IC资料会提供

一个所谓的安全工作区域（safe operating area），DC包裹的范围就是恒流的情况下可以运行的

当然，实际的并不是那么简单，随着环境温度的升高，导通电阻 Rdson 也会增加，那么由开通电阻产生的压降也会增加，所以产生的

热功率也会增大，使这个时候的温度进一步提高，这是一个恶性循环。还有，Pd 会随着温度的增加而减少，从另外一个角度理解，温

度高了，能提供给外界输出的最高功率也减少了。

虽然Pd的概念还最大提供负载的功率不同，要综合考虑。

例如我做一个开关电，输出 50W，效率 80% ，也即是说电源需要提供 62.5W 的功率，输入端电压 18V，输入电流为 3.5A。同样用前

面的仙童 FDS6680 作为电源极性检测电路，极性不对的话关闭，极性对的话则常导通。电源电源只有18V，而6680的雪崩击穿电压为

30V 所以通过。Rdson = 0.01，所以当最大电流的时候热功率为 3.5^2 * 0.01 = 0.122W，由于MOS管只是作为导通使用，并不承受压

降，所以压降只有Rdson产生的压降，只有热功率损耗，而25度的时候没有加散热器的话 Pd 为 1W ，所以可以看出，这是能安全使用

的。而如果环境温度 120 度，并且没有散热器，Pd 为 （150-125）/ 125 = 0.2W，Rdson 变为 0.017，消耗的热功率为 0.208W 可见

，已经进入临界状态了，所以MOSFET设置电路的时候一定要注意温度带来的影响。

这只是我的理解，不知道是否正确，待验证。