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非易失性存储器平衡方法

菜鸟
2020-09-11 15:33:22    评分

非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂,在高级节点上的价格和速度,功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷,以决定该存储器的放置位置。
 
NVM可以嵌入到芯片中,也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压,NVM的类型以及其中存储的内容以及整个芯片或系统的预算。
 
性能最高的处理器使用的工艺几何尺寸最小,这反过来将对NVM提出最高要求。NVM面临的一些挑战是在较小的几何尺寸上扩展容量的相对困难,以及需要实施更高的电压来对单元进行编程。在更精细的工艺几何尺寸下,可能需要更多的裸片面积来支持额外的处理核心所需的容量,并且可能需要额外的制造成本来支持更高的电压。
 
这已成为在较小几何尺寸的功率/性能改进与可以经济高效地嵌入多少内存之间的一种平衡方法。
 
在非易失性存储器中,当降至40nm以下时,嵌入它的成本将变得非常高,因此可能最终会在内部使用更多的
SRAM,但随后将NVM委托给外部设备。但是这样做时,挑战就变成了具有足够的带宽性能以能够以省电的方式执行。
 
一些
MCU公司正在转向外部存储器而不是内部存储器,并使用性能更高的八进制NVM来做到这一点。
 
这样做的优点之一是简单。因此,裸NAND设备正趋向于固态驱动器和存储卡,对需要直接与裸NAND接口的设备(不包括存储控制器)的要求越来越少。
 
随着SPI(串行外设接口)总线上设备的多样性增加,以及高速SPI接口(特别是四路SPI,八路SPI,xSPI)的泛滥,它已经成为一种非常有趣的总线,除了启动并直接执行之外公交车。这种方法在恩智浦不具有片上嵌入式存储器的微控制器系列中很明显。




关键词: 非易失性存储器     SRAM     MCU     NVM    

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